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LH-1 GPS導航晶振,DSA211SDN,壓控溫補晶振,1XXC20000MAA,大真空2016晶振

DSA211SDN系列中的1XXC20000MAA晶振的尺寸為2.0x1.6mm，是2016晶振，頻率是20.000MHZ，日本進口晶振，支持低電壓，低相位噪聲，單封裝結構，用途為手機、GPS/GNSS、工業無線電通信等，符合 ROHS/無鉛。VC-TCXO晶振應用：智能手機晶體、無線基站、精密儀器、GPS衛星、汽車應用等。日本KDS晶振，大真空有源振蕩器，有源貼片晶振，石英有源晶振，2016mm有源晶振，壓控溫補晶振，GPS導航晶振，大真空2016晶振。

株式會社-大真空（簡稱KDS,即商標）是全球領先的晶振制造商之一，成立于1959年，已有51年歷史。ISO9001、ISO14001、ISO/16949等國際體系認證是KDS品質和信譽的保證。KDS晶振主要生產溫補晶振（TCXO）、恒溫晶振（OCXO）、壓控晶振（VCXO）、時鐘晶振（SPXO）、晶體諧振器（Crystal Resonators）、晶體濾波器（Crystal Filters）等產品；其產品廣泛用于手機、對講機、GPS/北斗定位儀、汽車電子系統、倒車雷達、小型基站、LTE、RFID、激光測距儀、筆記本、平板電腦、數字集群通信系統、儀器儀表等領域。

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類型		DSA211SDN （VC-TCXO）
頻率范圍		12.288 至 52MHz
標準頻率		19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz
電源電壓范圍		+1.68 至 +3.5V
電源電壓（VCC)		+1.8V / +2.6V / +2.8V / +3.0V / +3.3V
電流消耗		最大 +1.5mA （f≦26MHz）/最大 +2.0mA （26<f≦52MHz）
輸出電平		最小 0.8Vp-p （f≦52MHz）（削波正弦波/直流耦合）
輸出負載		10kΩ//10pF
頻率穩定性	寬容	±1.5×10-6以下（2次回流焊后）
	與溫度	±1.0×10-6，±2.5×10-6最大值/-30 至 +85°C
		±1.0×10-6，±2.5×10-6最大值/-40 至 +85°C（可選）
	與電源電壓	最大 ±0.2×10-6（VCC±5%）
	與負載變化	最大 ±0.2×10-6（10kΩ//10pF±10%）
	vs. 衰老	±1.0×10-6最大值/年
頻率控制	控制靈敏度	±3.0×10-6至 ±5.0×10-6/Vcont=+1.4V±1V @VCC≧ +2.6V
		±3.0×10-6 至±5.0×10-6/Vcont=+0.9V±0.6V @VCC=+1.8V
	響應斜率	陽性
啟動時間		最大 2.0ms
相位噪聲		[f≦26MHz]	[26MHz<f≦40MHz]	[40MHz<f≦52MHz]
偏移 100Hz		-115dBc/Hz	-110dBc/Hz	-105dBc/Hz
偏移 1kHz		-130dBc/Hz	-130dBc/Hz	-125dBc/Hz
偏移 10kHz 偏移 100kHz		-150dBc/Hz	-150dBc/Hz	-145dBc/Hz
		-155dBc/Hz	-155dBc/Hz	-150dBc/Hz
包裝單位		3000 個/卷（Φ180）

DSA1612SDN，DSA211SDN,DSA221SDN,DSA321SDN,DSB1612SDN,DSB211SDN,DSB221SDN,DSB321SDN

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所有晶振產品的共同點
1、抗沖擊
晶體產品可能會在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到沖擊。如果產品已受過沖擊請勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環境會導致產品性能受到損害，因此應避免照射。
3、化學制劑 / pH值環境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解產品或包裝材料的環境下使用或儲藏這些產品。
4、粘合劑
請勿使用可能導致產品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。（比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質量，降低性能。）
5、鹵化合物
請勿在鹵素氣體環境下使用產品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內，都可能產生腐蝕。同時，請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過高的靜電可能會損壞產品，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進行接地操作。

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