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LH-1 KDS晶振,DSV753SV晶振,有源晶振.

LH-2

型號		DSV753SV晶振(VCXO)
輸出頻率范圍		2~170MHz
標準頻率		19.2MHz/26MHz/38.4MHz/40MHz/52MHz
電源電壓范圍		+1.68~+3.5V
電源電壓（Vcc）		+3.3V
消耗電流		+25mA max.（f≦26MHz）/+2.0mA max.（26＜f≦52MHz）/+2.5mA max.（f≦60MHz）
待機時電流		-
輸出電壓		0.8Vp-p min.（f≦52MHz）（削峰正弦波/DC-coupled）
輸出負載		10kΩ//10pF
頻率穩(wěn)定度	常溫偏差	±1.5×10^-6max.（After 2 reflows）
	溫度特性	±1.0×10^-6,±2.5×10^-6max./-30~+85℃ ±1.0×10^-6,±2.5×10^-6max./-40~+85℃（Option）
	電源電壓特性	±0.2×10^-6max.（V_CC±5%）
	負載變化特性	±0.2×10^-6max.（10kΩ//10pF±10%）
	長期變化	±1.0×10^-6max./year
頻率控制	控制靈敏度	±3.0×10^-6~±5.0×10^-6/Vcont=+1.4V±1V　@V_CC≧+2.6V ±3.0×10^-6~±5.0×10^-6/Vcont=+0.9V±0.6V　@V_CC=+1.8V
	頻率控制極性	正極性

DSV753SV

LH-4 機械振動的影響
當石英晶體產品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時，比如：壓電揚聲器，壓電蜂鳴器，以及喇叭等，輸出頻率和幅度會受到影響。這種現象對通信器材通信質量有影響。盡管晶體產品設計可最小化這種機械振動的影響，我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進行操作。
自動安裝時的沖擊
自動安裝和真空化引發(fā)的沖擊會破壞產品特性并影響這些產品。請設置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低，并確保在安裝前未對產品特性產生影響。條件改變時，請重新檢查安裝條件。同時，在安裝前后，請確保晶體產品未撞擊機器或其他電路板等。
操作

請勿用鑷子或任何堅硬的工具，夾具直接接觸IC的表面。KDS晶振,DSV753SV晶振,有源晶振
使用環(huán)境（溫度和濕度）

請在規(guī)定的溫度范圍內使用SMD晶振產品。這個溫度涉及本體的和季節(jié)變化的溫度。在高濕環(huán)境下，會由于凝露引起故障。請避免凝露的產生。
晶體單元/諧振器
激勵功率
在晶體單元上施加過多驅動力，會導致石英晶體諧振器產品特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率（請參閱“激勵功率”章節(jié)內容）。

LH-5 KDS晶振集團通過適當控制環(huán)境影響的物質，減少能源的使用，以達到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的。有效利用資源，防止環(huán)境污染，減少和妥善處理廢物，包括再利用和再循環(huán)。通過開展節(jié)能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖。避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產。遵守有關環(huán)境保護的法律、標準、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求。
環(huán)境政策，在其業(yè)務活動的所有領域，從開發(fā)、生產和銷售的壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器，大真空集團業(yè)務政策促進普遍信任的環(huán)境管理活動.
推進晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓電石英晶體等元器件的環(huán)保型業(yè)務,充分發(fā)揮綜合實力,推進環(huán)保型業(yè)務,為減輕社會的環(huán)境負荷做出貢獻.
KDS晶振集團認識到進行環(huán)境管理和資源保持的責任和必要性,同時也認識到針對全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進行各行業(yè)建設性的合作是極其重要的。
過去KDS晶振集團已經針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識別解決其自身環(huán)境污染及保持問題,加強責任感以便進行環(huán)境績效的持續(xù)改進。KDS晶振,DSV753SV晶振,有源晶振