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ILSI晶振,貼片晶振,I124晶振

頻率：1-40.0MHZ

尺寸：18.3*11.7mm

溫補晶振（TCXO）,是目前有源晶振中體積最小的一款,產(chǎn)品本身帶溫度補償作用的晶體振蕩器,該體積產(chǎn)品最適合于GPS,以及衛(wèi)星通訊系統(tǒng),智能電話等多用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性晶振.為對應低電源電壓的產(chǎn)品.(DC+1.8V ± 0.1V to +2.9V ± 0.1V 對應IC可能) 高度：最高0.8 mm,體積：0.0022 cm3,重量：0.008 g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.（可對應回流焊）無鉛產(chǎn)品.滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求,帶有AFC（頻率控制）功能,Enable/Disable功能,產(chǎn)品本身可根據(jù)使用需要進行選擇.

訂購熱線：0755-29952551

ILSI晶振,貼片晶振,I124晶振，具有最適合于移動通信設備用途的高穩(wěn)定的頻率溫度特性.為對應低電源電壓的產(chǎn)品.(可對應DC +1.8 V±0.1 V to +3.2 V±0.1 V )高度：最高1.0 mm,體積：0.007 cm3,重量：0.024g,超小型,輕型.低消耗電流,表面貼片型產(chǎn)品.（可對應回流焊）無鉛產(chǎn)品.滿足無鉛焊接的回流溫度曲線要求.
超小型、超低頻石英晶振晶片的邊緣處理技術(shù)：是超小型、超低頻石英晶振晶體元器件研發(fā)及生產(chǎn)必須解決的技術(shù)問題，為壓電石英晶振行業(yè)的技術(shù)難題之一。具體解決的辦法是使用高速倒邊方式，通過結(jié)合以往音叉晶振低速滾筒倒邊去除晶振晶片的邊緣效應，在實際操作中機器運動方式設計、滾筒的曲率半徑、滾筒的長短、使用的研磨砂的型號、多少、填充物種類及多少等各項設計必須合理，有一項不完善都會使陶瓷晶振晶片的邊緣效應不能去除，而石英晶振晶片的諧振電阻過大，用在電路中Q值過小，從而電路不能振動或振動不穩(wěn)定。

ILSI晶振	單位	晶振參數(shù)	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	1-40.0MHZ	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-50°C to +150°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C to +85°C, -40°C to +105°C, or -40°C to +125°C	標準溫度
激勵功率	DL	100 µW Max	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50ppm, ±30ppm, ±25ppm, ±20ppm, ±15ppm, or ±10ppm	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.cn-dongyang.com/
頻率溫度特征	f_tem	±100ppm, ±50ppm, ±30ppm, or ±20ppm	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	8pF to 32pF	不同負載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C ~ +125°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±3× 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

插件晶振,低損耗晶振,I124晶振

焊接方法焊接部位僅局限于導腳離開玻璃纖部位 1.0mm 以上的部位，并且請不要對外殼進行焊接。另外，如果利用高溫或長時間對導腳部位進行加熱，會導致晶振特性的惡化以及晶振的破損。

因此，請注意對導腳部位的加熱溫度要控制在 300°C 以下，且加熱時間要控制在5秒以內(nèi) (外殼的部位的加熱溫度要控制在150°C以下)。插件晶振,低損耗晶振,I124晶振

關(guān)于沖洗清潔音叉型晶振由于采用小型、薄型的晶振芯片，以及相對而言頻率與超音波清潔器相近，所以會由于共振而容易受到破壞，因此請不要用超音波清潔器來沖洗晶振。

關(guān)于機械性沖擊

(1) 從設計角度而言，即使石英晶振從高度75cm處落到硬質(zhì)木板上三次，按照設計不會發(fā)生什么問題，但因落下時的不同條件而異，有可能導致石英芯片的破損。在使之落下或?qū)λ┘記_擊之時，在使用之前，建議確認一下振蕩檢查等的條件。插件晶振,低損耗晶振,I124晶振

(2) SMD石英晶振與電阻以及電容器的芯片產(chǎn)品不同，由于在內(nèi)部對石英晶振晶片進行了密封保護，因此關(guān)于在自動安裝時由于沖擊而導致的影響，請在使用之前，懇請貴公司另外進行確認工作。

(3) 請盡量避免將本公司的音叉型晶振與機械性振動源(包括超聲波振動源)安裝到同一塊基板上，不得已要安裝到同一塊基板上時，請確保晶振能正常工作。

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ILSI晶體科技本于‘善盡企業(yè)責任、降低金屬面晶振對環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念,執(zhí)行各項環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作;落實公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著,不僅符合國內(nèi)環(huán)保、勞安法令要求,產(chǎn)品同時也能達到國際環(huán)保、安全衛(wèi)生標準.
2003年通過ISO14001環(huán)境管理系統(tǒng)驗證,秉持“污染預防、持續(xù)改善”之原則,公司事業(yè)廢棄物產(chǎn)出量逐年降低,可回收、再利用之廢棄物比例逐年提高,各項排放檢測數(shù)據(jù)符合政府法規(guī)要求.并由原材料管控禁用或限用環(huán)境危害物質(zhì)與國際大廠對于綠色生產(chǎn)及綠色壓電控制晶體振蕩器產(chǎn)品的要求相符,于2004年通過SONY 綠色伙伴(Green Partner)驗證.插件晶振,低損耗晶振,I124晶振
勞工職業(yè)安全衛(wèi)生議題近年成為世界各國及企業(yè)關(guān)注焦點,如何做到‘降低職業(yè)災害發(fā)生、確保石英插件晶振工作場所安全、實施員工健康管理’一直是ILSI晶體努力的方向,公司于2008年12月通過OHSAS18001職業(yè)安全衛(wèi)生管理系統(tǒng)驗證,提供勞工符合系統(tǒng)要求的安全衛(wèi)生工作環(huán)境.

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