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日本進(jìn)口晶振,1XXB16368MAA,溫補(bǔ)振蕩器,DSB221SDN,2520石英貼片

頻率：16.368MHz

尺寸：2.5*2.0mm

日本進(jìn)口晶振,1XXB16368MAA,溫補(bǔ)振蕩器,DSB221SDN,2520石英貼片，日本進(jìn)口晶振DSB 221SDN系列中的1XXB16368MAA晶振，尺寸2.5x2.0mm，為2520石英貼片，頻率16.368MHZ，KDS晶振，石英晶體振蕩器，TCXO溫補(bǔ)晶振，有源晶體振蕩器，溫補(bǔ)晶體振蕩器，石英有源晶振，2520mm有源晶振，溫補(bǔ)石英晶振，貼片溫補(bǔ)振蕩器，低抖動(dòng)溫補(bǔ)晶振，低電壓溫補(bǔ)晶振，低相位溫補(bǔ)晶振，低相噪溫補(bǔ)晶振，低耗能溫補(bǔ)晶振，高質(zhì)量溫補(bǔ)晶振，移動(dòng)電話溫補(bǔ)晶振，2520石英晶體振蕩器，GPS全球定位系統(tǒng)晶振，測試設(shè)備有源晶振，空中雷達(dá)有源晶振，6G電信有源晶振，交換機(jī)有源晶振，網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用有源晶振，具有低耗能高質(zhì)量的特點(diǎn)。該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各種通信、導(dǎo)航、雷達(dá)、衛(wèi)星定位系統(tǒng)、移動(dòng)通信、程控電話交換機(jī)、各類電子測量儀表中。

訂購熱線：0755-29952551

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日本進(jìn)口晶振,1XXB16368MAA,溫補(bǔ)振蕩器,DSB221SDN,2520石英貼片

日本進(jìn)口晶振DSB 221SDN系列中的1XXB16368MAA晶振，尺寸2.5x2.0mm，為2520石英貼片，頻率16.368MHZ，KDS晶振，石英晶體振蕩器，TCXO溫補(bǔ)晶振，有源晶體振蕩器，溫補(bǔ)晶體振蕩器，石英有源晶振，2520mm有源晶振，溫補(bǔ)石英晶振，貼片溫補(bǔ)振蕩器，低抖動(dòng)溫補(bǔ)晶振，低電壓溫補(bǔ)晶振，低相位溫補(bǔ)晶振，低相噪溫補(bǔ)晶振，低耗能溫補(bǔ)晶振，高質(zhì)量溫補(bǔ)晶振，移動(dòng)電話溫補(bǔ)晶振，2520石英晶體振蕩器，GPS全球定位系統(tǒng)晶振，測試設(shè)備有源晶振，空中雷達(dá)有源晶振，6G電信有源晶振，交換機(jī)有源晶振，網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用有源晶振，具有低耗能高質(zhì)量的特點(diǎn)。

該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各種通信、導(dǎo)航、雷達(dá)、衛(wèi)星定位系統(tǒng)、移動(dòng)通信、程控電話交換機(jī)、各類電子測量儀表中。

溫度補(bǔ)償晶體振蕩器（tcxo）包括數(shù)字補(bǔ)償晶體振蕩器和微機(jī)補(bǔ)償晶體振蕩器。器件內(nèi)部采用模擬補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)或數(shù)字補(bǔ)償方式、利用晶體負(fù)載電抗隨溫度的變化而補(bǔ)償晶體元件的頻率－溫度特性，以達(dá)到減少其頻率－溫度偏移的晶體振蕩器。

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日本進(jìn)口晶振,1XXB16368MAA,溫補(bǔ)振蕩器,DSB221SDN,2520石英貼片 參數(shù)表

類型	DSB221SDN （TCXO）
頻率范圍	9.6 至 52MHz
標(biāo)準(zhǔn)頻率	16.3676MHz/16.367667MHz/16.368MHz/16.369MHz/16.8MHz/26MHz/33.6MHz
電源電壓范圍	+1.68 to +3.5V
電源電壓（VCC)	+1.8V / +2.6V / +2.8V / +3.0V / +3.3V
電流消耗	+1.5mA max. (f≦26MHz) / +2.0mA max. (26
輸出電平	0.8Vp-p min. (f≦52MHz) (Clipped Sinewave/DC-coupled)
輸出負(fù)載	10kΩ//10pF
頻率穩(wěn)定性	±0.5×10-6，±2.5×10-6 以下 / -30 至 +85°C ±0.5×10-6，±2.5×10-6 以下 / -40 至 +85°C
啟動(dòng)時(shí)間	最大 2.0ms
包裝單位	3000 個(gè)/卷（Φ180）

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日本進(jìn)口晶振,1XXB16368MAA,溫補(bǔ)振蕩器,DSB221SDN,2520石英貼片 尺寸圖

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所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1、抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用。
2、輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
3、化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
4、粘合劑
請勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材SsA料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。
5、鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
6、靜電
過高的靜電可能會(huì)損壞產(chǎn)品，請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路，并進(jìn)行接地操作。

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