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KDS晶振,DSO223SJ晶振,DSO323SJ晶振,普通有源晶振

頻率：13.5~167MHz

尺寸：2.5×2.0mm,3.2×2.5mm

高精度晶片的拋光技術(shù)：是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù)，最終使晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值，使石英晶體元器件可在更低功耗下工作

訂購(gòu)熱線：0755-29952551

LH-1 KDS晶振,DSO223SJ晶振,DSO323SJ晶振,普通有源晶振,日本株式會(huì)社大真空KDS晶振自1959年建立以來(lái)一直遵從的三個(gè)理念“依賴(lài)”于“可靠的人”“可靠的產(chǎn)品”和“可靠的公司”.作為全球石英器件制造商,大真空KDS晶振努力幫助實(shí)現(xiàn)新一代電子社會(huì),更方便人們更舒適,通過(guò)開(kāi)發(fā)石英晶振, 壓控晶體振蕩器（VCXO）、溫補(bǔ)晶體振蕩器（TCXO）、恒溫晶體振蕩器（OCXO）、陶瓷諧振器等晶體器件對(duì)全球環(huán)境友好.
石英晶振高精度晶片的拋光技術(shù)：2520晶振是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù),最終使晶振晶片表面更光潔,平行度及平面度更好,降低諧振電阻,提高Q值.從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能,使石英晶振的等效電阻等更接近理論值,使晶振可在更低功耗下工作.使用先進(jìn)的牛頓環(huán)及單色光的方法去檢測(cè)晶片表面的狀態(tài).

LH-2

項(xiàng)目	符號(hào)	DSO223SJ晶振,DSO323SJ晶振規(guī)格說(shuō)明	條件
輸出頻率范圍	f₀	13.5 MHz to 167 MHz	請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓	V_CC	2.5V to 3.3 V	請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度	T_stg	-40℃ to +105℃	裸存
工作溫度	T_use	G: -40℃ to +85℃	請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.cn-dongyang.com/
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
頻率穩(wěn)定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率
待機(jī)電流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 極, L_CMOS≦15 pF
輸出電壓	V_OH	V_CC-0.4V Min.
輸出電壓	V_OL	0.4 V Max.
輸出負(fù)載條件	L_CMOS	15 pF Max.
輸入電壓	V_IH	80% V_CC Max.	ST 終端
輸入電壓	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 終端
上升/下降時(shí)間	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 極, L_CMOS=15 pF
振蕩啟動(dòng)時(shí)間	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
頻率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

LH-3

DSO223SJ (LVDS)

DSO323SJ 3225(LVDS)

LH-4 石英晶振頻率輸出是目標(biāo)頻率的三倍

這個(gè)問(wèn)題的可能性相對(duì)較小。請(qǐng)確定的三次泛音調(diào)模式的頻率反饋是否大于基頻模式，由于放大電路的反饋大。當(dāng)放大電路內(nèi)置于芯片組此問(wèn)題可能會(huì)發(fā)生。為了解決這個(gè)問(wèn)題，請(qǐng)采用三次泛音模式晶振。
1.此外，放大電路，第三色調(diào)模式設(shè)計(jì)不當(dāng)也可能導(dǎo)致電路由第五音模式振蕩或不振蕩。系統(tǒng)故障是由于超大輸出波形的幅度。
2.請(qǐng)參照資料2.也可以提高終端石英晶振電容解決方案，然后檢查波形幅度是否得到改善。
3.請(qǐng)確定使用頻譜分析儀機(jī)中斷信號(hào)的頻率。我們可以發(fā)現(xiàn)存在的問(wèn)題是根據(jù)頻率什么。
4.如果是從電源的交流信號(hào)，請(qǐng)檢查電源和信號(hào)的兩個(gè)理由的狀態(tài)是否是浮動(dòng)的。請(qǐng)改為浮動(dòng)，如果它不是。
5.如果信號(hào)具有高頻率，請(qǐng)使用以下方法：使用晶振外殼為接地。采用水晶較小C0。增加電路，鎘和CG的外部電容，并采用晶體具有較高的負(fù)載電容CL。KDS晶振,DSO223SJ晶振,DSO323SJ晶振,普通有源晶振

LH-5 日本大真空株式會(huì)社KDS晶振將：
通過(guò)適當(dāng)控制環(huán)境影響的物質(zhì)，減少能源的使用，以達(dá)到節(jié)約能源和節(jié)約資源的目的。有效利用資源，防止環(huán)境污染，減少和妥善處理廢物，包括再利用和再循環(huán)。通過(guò)開(kāi)展節(jié)能活動(dòng)和減少二氧化碳排放防止全球變暖。避免采購(gòu)或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國(guó)或鄰近國(guó)家武裝組織的礦產(chǎn)。遵守有關(guān)環(huán)境保護(hù)的法律、標(biāo)準(zhǔn)、協(xié)議和任何公司承諾的其他要求。
環(huán)境政策，在其業(yè)務(wù)活動(dòng)的所有領(lǐng)域，從開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的壓電石英晶體元器件、3225晶振、有源晶體、壓電陶瓷諧振器，大真空集團(tuán)業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動(dòng).
KDS晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)全球環(huán)境問(wèn)題,為保持國(guó)際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的。
推進(jìn)晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓電石英晶體、有源晶體等元器件的環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實(shí)力,推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會(huì)的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn).
過(guò)去KDS晶振集團(tuán)已經(jīng)針對(duì)重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識(shí)別解決其自身環(huán)境污染及保持問(wèn)題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績(jī)效的持續(xù)改進(jìn).KDS晶振,DSO223SJ晶振,DSO323SJ晶振,普通有源晶振