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KDS晶振,DSO531SR晶振,石英晶體振蕩器

頻率:0.2~167MHz

尺寸:5.0×3.2mm

有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對應(yīng)自動搭載及IR回流焊接(無鉛對應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對不同IC產(chǎn)品需要..

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LH-1KDS-1KDS晶振,DSO531SR晶振,石英晶體振蕩器.日本大真空株式會社,于1993年被天津政府對外資招商部特別邀請在中國天津投資.日本大真空在當(dāng)年5月份,就在天津市位于武清開發(fā)區(qū)確定投資建廠,當(dāng)時總額1.4億美元,注冊資本4867.3萬美元,占地面積67.5畝.主要研發(fā)生產(chǎn):壓電石英水晶制品,石英晶體諧振器,石英晶體振蕩器系列.陶瓷制品以及光學(xué)制品,其主要的產(chǎn)品還是水晶振動子,剛投資建廠時主打產(chǎn)品便是32.768KHZ系列產(chǎn)品.

LH-2

項目

符號

DSO531SR晶振規(guī)格說明

條件

輸出頻率范圍

f0

0.2~167MHZ

請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息

電源電壓

VCC

1.8V/2.5V/2.8V/3.0V/3.3V/5.0V

聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息

儲存溫度

T_stg

-40 to +125

裸存

工作溫度

T_use

G: -40 to +85

請聯(lián)系我們查看更多資料http://www.cn-dongyang.com/

H: -40 to +105

J: -40 to +125

頻率穩(wěn)定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

 

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無負(fù)載條件、最大工作頻率

待機(jī)電流

I_std

20μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

輸出電壓

 

VOH

VCC-0.4V Min.

 

VOL

0.4 V Max.

 

輸出負(fù)載條件

L_CMOS

15 pF Max.

 

輸入電壓

VIH

80% VCC Max.

ST 終端

VIL

20 % VCC Max.

上升/下降時間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCC to 80 % VCC , L_CMOS=15 pF

振蕩啟動時間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6 / year Max.

+25 , 初年度,第一年

LH-3KDS-2

DSO531SR 5032

LH-4 所有產(chǎn)品的共同點(diǎn)
1:抗沖擊 是指晶振產(chǎn)品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到?jīng)_擊.如果產(chǎn)品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內(nèi)部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響.
2:輻射 將貼片晶振暴露于輻射環(huán)境會導(dǎo)致產(chǎn)品性能受到損害,因此應(yīng)避免陽光長時間的照射
3:化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境 請勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解石英晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品.
4:粘合劑 請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
5:鹵化合物 請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用晶振.即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕.同時,請勿使用任何會釋放出鹵素氣體的樹脂.
6:靜電 過高的靜電可能會損壞貼片晶振,請注意抗靜電條件.請為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料.在處理的時候,請使用電焊槍和無高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作.KDS晶振,DSO531SR晶振,石英晶體振蕩器

LH-5KDS晶振集團(tuán)將確保其產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿足甚至超出國家的、州立的以及地方環(huán)保機(jī)構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機(jī)關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)?;顒?。 在地方對各項設(shè)施的管理責(zé)任中,確保滿足方針的目標(biāo)指標(biāo),同時在各種經(jīng)營與生產(chǎn)活動中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求。
環(huán)境政策,在其業(yè)務(wù)活動的所有領(lǐng)域,從開發(fā)、生產(chǎn)和銷售的壓電石英晶體元器件、石英晶體諧振器、有源晶體、壓電陶瓷諧振器,大真空集團(tuán)業(yè)務(wù)政策促進(jìn)普遍信任的環(huán)境管理活動.
KDS晶振集團(tuán)認(rèn)識到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,同時也認(rèn)識到針對全球環(huán)境問題,為保持國際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的。
KDS集團(tuán)將有效率的使用自然資源和能源,以便從源頭減少廢物產(chǎn)生和排放。我們將在關(guān)注于預(yù)防環(huán)境和安全事故,保護(hù)公眾健康的同時,努力改進(jìn)我們的操作。我公司將積極參與加強(qiáng)公眾環(huán)境、健康和安全意識的活動,提高公眾對普遍的環(huán)境、健康和安全問題的注意。
推進(jìn)晶振,有源晶振,壓控振蕩器, 壓電石英晶體、5032晶振等元器件的環(huán)保型業(yè)務(wù),充分發(fā)揮綜合實(shí)力,推進(jìn)環(huán)保型業(yè)務(wù),為減輕社會的環(huán)境負(fù)荷做出貢獻(xiàn).
KDS晶振集團(tuán)實(shí)施創(chuàng)新戰(zhàn)略,提高自主創(chuàng)新能力,確保公司可持續(xù)發(fā)展。實(shí)施節(jié)約戰(zhàn)略,提高建設(shè)節(jié)約環(huán)保型企業(yè)能力,確保實(shí)現(xiàn)節(jié)能環(huán)保規(guī)劃目標(biāo)。KDS晶振,DSO531SR晶振,石英晶體振蕩器

LH-6

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SG2520EGN差分振蕩器,EPSON晶振,X1G0058810002,6G無線晶振
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SG2520EGN差分振蕩器,EPSON晶振,X1G0058810002,6G無線晶振,尺寸2.5*2.0mm,頻率156.25MHZ,OSC振蕩器,石英差分晶振,低抖動振蕩器,差分貼片晶振,低相位差分振蕩器,SPXO晶體振蕩器,5G將使網(wǎng)絡(luò)通信流量呈指數(shù)級增長。5G/6G通信網(wǎng)絡(luò)要求高速寬頻帶,同時最大限度地減少噪音。這將實(shí)現(xiàn)與高頻率,低抖動用于通信設(shè)備的參考時鐘,其中將使用小尺寸光模塊。SG2016EGN/SG2520EGN是非常受歡迎的SG3225EEN系列的下一代產(chǎn)品,提供相同的功能具有廣泛的可用頻率范圍,低抖動和改進(jìn)的頻率容限的功能組合由于在更小的封裝中使用了帶有溫度補(bǔ)償?shù)膬?nèi)部設(shè)計IC,因此性能更好。

有源晶振產(chǎn)品主要應(yīng)用:網(wǎng)絡(luò)設(shè)備(路由器、交換機(jī)、光模塊等),數(shù)據(jù)中心,測試和測量設(shè)備,工廠自動化,高速轉(zhuǎn)換器,如ADC和DAC等領(lǐng)域.SG2520EGN差分振蕩器,EPSON晶振,X1G0058810002,6G無線晶振.

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智能手機(jī)石英晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,適用于移動通信終端的基準(zhǔn)時鐘等移動通信領(lǐng)域.比如智能手機(jī),無線通信,衛(wèi)星導(dǎo)航,平臺基站等數(shù)碼產(chǎn)品類別,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準(zhǔn)時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領(lǐng)域,滿足無鉛工作的高溫回流溫度曲線要求.
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