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Vectron晶振,石英晶體,VXA1晶振,VXD1晶振

頻率：1.536M~150MHZ

尺寸：11.5X5.0mm

插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發(fā)生源部分.

訂購熱線：0755-29952551

Vectron國際晶振集團(tuán)是世界領(lǐng)先的晶振,石英晶振,有源晶振,壓控振蕩器頻率控制、傳感器和混合產(chǎn)品解決方案的設(shè)計、制造和營銷的領(lǐng)導(dǎo)者,維管晶振采用了從直流到微波頻段的各種最新技術(shù),包括大體積聲波(BAW)和表面聲波.產(chǎn)品包括壓電石英晶體元器件、壓電石英晶體、有源晶體、壓電陶瓷諧振器、和晶體振蕩器;頻率翻譯器;時鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù)產(chǎn)品;見濾器;晶體濾波器和用于電信、數(shù)據(jù)通信、頻率合成器、定時、導(dǎo)航、軍事、航空和儀表系統(tǒng)的組件.

Vectron國際晶振集團(tuán)是一家產(chǎn)品制造商和解決方案的國際企業(yè),以其獨特的技術(shù)領(lǐng)先.Vectron晶振核心競爭力結(jié)合了經(jīng)典的水晶,看到技術(shù)和復(fù)雜的集成電路和先進(jìn)的包裝.除了這些極具創(chuàng)新性的能力外,Vectron力求做到極具靈活性,專注于服務(wù),迅速作出反應(yīng),專業(yè)地幫助客戶創(chuàng)新、改進(jìn)和發(fā)展業(yè)務(wù).

Vectron晶振公司總部設(shè)在哈德遜,在北美、歐洲和亞洲設(shè)有操作設(shè)施和銷售辦事處,在水晶振蕩器和濾鏡設(shè)計方面都以其技術(shù)能力而聞名.公司提供的創(chuàng)新和能力反映了高頻率、低成本設(shè)計和小型化的趨勢,以及更先進(jìn)的綜合解決方案.其中一些關(guān)鍵技術(shù)包括:ASIC設(shè)計、表面安裝技術(shù)、陶瓷封裝、混合制造到類“S”、“高頻基礎(chǔ)”(HFF)晶體設(shè)計和空間組件能力.

使命宣言

LH-1

Vectron晶振,石英晶體,VXA1晶振,VXD1晶振插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時鐘信號發(fā)生源部分,好比時鐘單片機(jī)上的石英晶振,在極端嚴(yán)酷的環(huán)境條件下,晶振也能正常工作,具有穩(wěn)定的起振特性,高耐熱性,耐熱循環(huán)性和耐振性等的高可靠性能.

石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一.石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計等）.使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強,貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi).

LH-2

Vectron晶振規(guī)格	單位	VXA1晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	1.536MHZ~150MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-20°C ～ +70°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.cn-dongyang.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年

Vectron晶振規(guī)格	單位	VXD1晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標(biāo)準(zhǔn)頻率	f_nom	7MHZ~200MHZ	標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +85°C	裸存
工作溫度	T_use	-20°C ～ +70°C	標(biāo)準(zhǔn)溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10^-6 (標(biāo)準(zhǔn)), (±15 × 10^-6 ～ ±50 × 10^-6 可用)	+25°C 對于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息,http://www.cn-dongyang.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10^-6/-20°C ～ +70°C	超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負(fù)載電容	CL	8pF ,10PF,12PF,20PF	不同負(fù)載電容要求,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R₁	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10^-6 / year Max.	+25°C,第一年