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沖擊和振動靈敏度:MEMS可編程晶振的可靠性得到改善,部分原因在于提高了半導(dǎo)體級的抗沖擊和抗振性.標(biāo)準(zhǔn)石英器件往往易碎,因?yàn)榫w是金屬或陶瓷封裝-50至100克的沖擊會使晶體破裂.因此,制造商必須實(shí)施特定的存儲,包裝和運(yùn)輸協(xié)議,以避免不小心處理.測試pMEMS振蕩器對沖擊和振動的抵抗力揭示了一個不同的故事.結(jié)果表明,這些裝置可以輕松存活超過1500克的沖擊和20克的振動

OV-7604-C7-32.768k-20PPM-TB-QA瑞士微晶晶振CM7V-T1A-32.768kHz-12.5pF-10PPM-TB-QC32.768KCC5V-T1A-32.768kHz-7pF-20PPM-TB-QCMicrocrystalCM8V-T1A-32.768k-12.5pF-20PPM-TB-QAMicrocrystalCM7V-T1A-32.768kHz-9pF-10PPM-TB-QC石英晶振CM7V-T1A-32.768kHz-12.5pF-20PPM-TB-QC瑞士石英晶振CM8V-T1A-32.768k-9pF-20PPM-TB-QA瑞士石英晶振CM7V-T1A-Low-ESR-32.768k-7pF-10-TB-QA瑞士Microcrystal晶振CM7V-T1A-32.768kHz-7pF-20PPM-TB-QC無源時鐘晶振CM7V-T1A-32.768k-7pF-100PPM-TB-QA無源時鐘晶振CM7V-T1A-32.768kHz-12.5pF-100PPM-TB-QCMicrocrystalOV-7604-C7-32.768kHz-20PPM-TB-QC進(jìn)口32.768K

到2022年,全球晶體振蕩器市場規(guī)模估計將達(dá)到32億美元,從2016年到2022年的復(fù)合年增長率為5.8％.晶體振蕩器電路是一種諧振裝置,它使用壓電石英晶體諧振器通過機(jī)械振動產(chǎn)生精確頻率的電脈沖.由于晶體振蕩器的優(yōu)點(diǎn),例如將機(jī)械振動轉(zhuǎn)換成電脈沖,反之亦然,在這些晶體中使用壓電材料.這些優(yōu)點(diǎn)拓寬了晶體振蕩器的應(yīng)用領(lǐng)域.晶體振蕩器是一種電子振蕩器/頻率振蕩器,可產(chǎn)生一定頻率的振蕩.這些晶體用于數(shù)字設(shè)備,例如集成電路,無線電發(fā)射器和手表,以產(chǎn)生時鐘信號.

切割類型也決定了晶體的活性.一些晶振以不止一個頻率振動,因此將以諧波頻率工作.厚度不均勻的晶體可具有兩個或更多個諧振頻率.通常,一個共振頻率比其他共振頻率更明顯.其他不太明顯的共振頻率稱為SPURIOUS頻率.有時這種晶體同時以兩個頻率振蕩.可安全通過晶體的電流量范圍為50至200毫安.當(dāng)超過額定電流時,機(jī)械振動的幅度變得太大,晶體可能會破裂.晶體過載會影響振動頻率,因?yàn)楣暮途w溫度會隨著負(fù)載電流的增加而增加.

NX3225GA-26.000M-STD-CRG-2日本電波株式會社NX3225GA-13.56M-STD-CRG-2NX3225GA-27M-STD-CRG-23225晶振NX3225GA-26MHZ-TI日本NDK晶振NX3225GA-14.7456M-STD-CRG-2NX3225GA-20MHZ-STD-CRA-1陶瓷面3225晶振NX3225GA-16.000M-STD-CRG-2日本NDK晶體NX3225GA-27.12M-STD-CRG-2NX3225GA-19.2M-STD-CRG-2日本電波株式會社NX3225GA-27.000M-STD-CRG-1NDK石英晶振NX3225GA-25.000M-STD-CRG-1NX3225GA-16.9344M-STD-CRG-2日本電波晶振NX3225GA-20.000M-STD-CRG-1陶瓷面晶振NX3225GA-25.000M-STD-CRG-2NX3225GA-10.000M-STD-CRG-2日本NDK晶體

典型的應(yīng)用是網(wǎng)絡(luò)和同步單元以及通常專業(yè)的電信系統(tǒng).其他可能的應(yīng)用是GSM或WIMAX基站的頻率源.所謂的Picocell和Femtocell基站需要非常小且價格低廉的貼片恒溫晶振,并且在幾天內(nèi)具有良好的保持穩(wěn)定性.可根據(jù)要求提供樣品.

阿里作為國內(nèi)又一電商巨頭,其在智能物流機(jī)器人的布局上也不落人后.早在2016年,阿里就成立了菜鳥ET物流實(shí)驗(yàn)室,專門負(fù)責(zé)物流機(jī)器人的研發(fā)工作.時至今日,已經(jīng)推出了配送機(jī)器人"小G"和分揀機(jī)器人"曹操"等多款使用了貼片晶振的機(jī)器人產(chǎn)品.

機(jī)械沖擊是石英晶體諧振器暴露于沖擊.機(jī)械沖擊可在很大范圍內(nèi)發(fā)生.將水晶滴在地板上的地板就是一個例子.極端機(jī)械沖擊的一個例子是在由155毫米火炮發(fā)射的炮彈的近距離保險絲的電子電路中使用的晶體.機(jī)械沖擊有兩個組成部分,以Gs為單位測量的強(qiáng)度和以毫秒為單位測量的持續(xù)時間.將桌面高度的水晶滴到堅硬的地板上會導(dǎo)致在大約3毫秒的時間內(nèi)震動超過1,000克.炮彈中的水晶體驗(yàn)大約16,000克,持續(xù)12毫秒.較高的沖擊水平通常具有較短的持續(xù)時間,0.25毫秒和較低的沖擊水平可以具有長達(dá)20毫秒的持續(xù)時間.

GPU Turbo打通EMUI操作系統(tǒng)以及GPU和CPU之間的處理瓶頸,在系統(tǒng)底層對傳統(tǒng)的圖形處理框架進(jìn)行了重構(gòu),在進(jìn)口有源晶振的幫助下實(shí)現(xiàn)了軟硬件協(xié)同,使得GPU圖形運(yùn)算整體效率得到大幅提升,提高手機(jī)GPU的性能,圖形處理效率提高60%.

   X2GGGLNANF-12.000000晶振X3AEELNANF-40.000000臺灣泰藝晶振X3AEEJNANF-38.400000泰藝晶體諧振器XZDCELNANF-27.120000石英晶體XIHEELAANF-16.000000泰藝晶振XZABPCNANF-40.000000泰藝晶體諧振器XXDCCCNANF-12.000000晶振TXETACSANF-26.000000泰藝晶振OCETGLJTNF-100.000000貼片晶振XSDEELAANF-12.000000泰藝晶振XYHEECNANF-30.000000臺灣泰藝晶振X3AEELNANF-26.000000進(jìn)口貼片晶振OXETDLJANF-10.000000臺灣OSC晶振TYKTBLSANF-19.200000石英晶體振蕩器XIHEELAANF-8.000000泰藝晶振XXGEGLNANF-25.000000貼片晶振TYETCCSANF-50.000000有源晶振OYETGHJANF-66.667000泰藝晶振XJDECCAANF-4.194304泰藝晶振XSHGGLNANF-12.000000貼片晶振XSCEECNANF-8.000000石英晶振XYLEEJNANF-27.120000無源晶體X3AEELNANF-27.000000臺灣TAITIEN晶振OCETGLJTNF-133.000000有源晶振X2HCCCNANF-12.000000泰藝晶振XSHGGLNANF-16.000000石英晶振XSCEGCNANF-10.000000臺灣泰藝晶振XYABBCNANF-24.576000泰藝晶體諧振器X3AEELNANF-27.120000晶振XXDGHHPANF-20.000000臺灣泰藝晶振VTEUMLJANF-25.000000臺灣OSC晶振OYEUDCJANF-49.152000石英晶體振蕩器XXCBELNANF-12.000000泰藝晶振XSHGGLNANF-24.000000臺灣泰藝晶振XSCGGCNANF-24.576000無源晶體OXETDLJANF-50.000000有源晶振OXJTGLKTNF-125.000000泰藝晶振XIHEELAANF-4.000000泰藝晶振XXCGGINANF-18.432000無源晶體TYETACSANF-16.367667石英晶振OYEUDCJANF-45.158400臺灣OSC晶振XIHEELAANF-11.059200泰藝晶振XZABBCNANF-26.000000無源晶體XSDEECNANF-25.000000泰藝晶體諧振器XYAEECNANF-27.000000臺灣TAITIEN晶振X3AEELNANF-38.400000石英晶振XXGGGINANF-25.000000石英晶振TYETBCSANF-20.000000石英晶體振蕩器XIHEELAANF-25.000000泰藝晶振

   XZAPPCNANF-16.000000進(jìn)口貼片晶振XXBBBCNANF-16.000000泰藝晶體諧振器TYKTACSANF-26.000000貼片晶振OXETGCJTNF-125.000000石英晶振XSDEELNANF-12.000000進(jìn)口貼片晶振XXHCCLNANF-25.000000進(jìn)口貼片晶振OXETDLJANF-20.000000泰藝晶振OXETDLJTNF-100.000000貼片晶振XSDEELNANF-13.560000臺灣TAITIEN晶振XXCCCCNANF-12.000000貼片晶振X3AEELNANF-48.000000無源晶體XZBBBCNANF-26.000000臺灣TAITIEN晶振XSDEELNANF-25.000000晶振XXCGGLNANF-12.000000石英晶振XYIGGLNANF-16.000000泰藝晶體諧振器XXGPPLNANF-20.000000晶振OXETGLJANF-50.000000石英晶體振蕩器OTETGCLTNF-156.250000有源晶振XIHEELAANF-7.372800泰藝晶振XZBBCCNANF-26.000000晶振XSDEGCNANF-16.000000貼片晶振XXGDDCNANF-25.000000臺灣泰藝晶振XYCBBCNANF-16.000000進(jìn)口貼片晶振XXEBCLNANF-40.000000貼片晶振XZBCCCNANF-16.000000貼片晶振XSFGGLNANF-20.000000石英晶振XXGEHHNANF-24.000000無源晶體XYCBBCNANF-26.000000臺灣TAITIEN晶振X3AEEJNANF-27.000000石英晶振OYETGCJANF-24.000000石英晶振TYKACCSANF-26.000000臺灣OSC晶振OXKTGLJANF-19.200000有源晶振XZCBBCNANF-16.000000石英晶振XSGEECNANF-16.000000臺灣泰藝晶振XXHEELNANF-12.000000泰藝石英晶體諧振器XYCCCCNANF-19.200000晶振XYAEECNANF-26.000000進(jìn)口貼片晶振X3AEELNANF-30.000000貼片晶振X3AEEJNANF-27.120000臺灣泰藝晶振OYETGCJANF-25.000000貼片晶振TYKACCSANF-40.000000石英晶振OCETDLJANF-25.000000石英晶體振蕩器XZCBBCNANF-32.000000臺灣泰藝晶振XSGEELNANF-25.000000無源晶體XXPEELNANF-16.000000進(jìn)口貼片晶振XYCEECNANF-27.120000貼片晶振X3AEEJNANF-30.000000無源晶體OYETGCJANF-27.000000晶振TXEAACSANF-40.000000貼片晶振OCETGLJTNF-125.000000臺灣OSC晶振XZCEECNANF-27.120000無源晶體XSGEGLNANF-13.000000泰藝晶體諧振器XZGEECNANF-24.000000臺灣TAITIEN晶振XYCEECNANF-32.000000石英晶振XZCEECAANF-27.120000石英晶體XZLEFLNANF-30.000000臺灣TAITIEN晶振XXBBBCNANF-26.000000臺灣TAITIEN晶振OCETGLJTNF-106.250000石英晶振XZDBPCNANF-16.000000泰藝晶體諧振器XSHEECNANF-25.000000進(jìn)口貼片晶振XZHBBCNANF-32.000000晶振XZDCELNANF-30.000000石英晶體XXHCECAANF-26.690000石英晶體XZIEELNANF-16.000000進(jìn)口貼片晶振XSHEELNANF-25.000000臺灣TAITIEN晶振XSHGGLNANF-11.059200晶振XZLCCCNANF-30.000000貼片晶振

       ECX-P33BN-16.384高精密晶振ECS-2018-080-BN低抖動晶振ECS-1633-192-BN-TR美國伊西斯晶振ECS-3525-320-B-TR伊西斯晶振ECS-3225S18-200-FN-TR有源晶振ECS-.327-12.5-39-TR伊西斯晶振ECS-250-20-3X-TR晶振ECX-P33BN-24.576低抖動晶振ECS-2018-240-BN有源石英晶振ECS-3518-240-B-TR高精密晶振ECS-VXO-73-27.00-TR晶體振蕩器ECS-3953M-500-BN-TR石英晶振ECS-240-16-5PX-TR無源晶振ECS-3X8耐高溫晶振ECS-120-20-3X-TR石英晶體ECX-P33BN-25.000高精密晶振ECS-3525-1000-B-TR伊西斯SMD晶振ECS-3518-400-B-TR有源石英晶振ECS-2033-160-BN大體積晶振ECS-3953M-040-BN-TR貼片晶振ECS-92.1-S-5PX-TR伊西斯晶振ECS-40-18-5PXEN-TR低損耗晶振ECS-160-20-3X-TR無源晶振ECS-2033-240-BN大體積晶振ECS-3953M-018-BN-TR進(jìn)口晶體振蕩器ECS-73-S-5PX-TR石英晶振ECS-76.8-18-5PXEN-TR高品質(zhì)晶振ECS-143-20-3X-TR伊西斯晶振ECX-P33BN-27.000石英貼片晶振ECS-3525-1250-B-TR有源晶振ECS-3951M-160-BN-TR美國伊西斯晶振ECS-1618-120-BN-TR小體積貼片晶振ECS-3953M-200-BN-TR石英晶體振蕩器ECS-3225S25-240-FN-TR貼片晶振ECS-98.3-18-5PXEN-TR晶振ECS-147.4-20-3X-TR石英晶振ECX-L32CM-14.7456石英貼片晶振ECS-3963-1000-AU-TR石英晶體振蕩器ECS-3953M-080-AU-TR有源晶振ECS-1618-192-BN-TR有源石英晶振ECS-3953M-480-AU-TR有源晶振ECS-3225S25-250-FN-TR進(jìn)口晶體振蕩器ECS-42-18-5PXEN-TR石英晶體ECX-P33BN-250.000石英貼片晶振ECS-3963-1000-BN-TR美國伊西斯晶振ECX-L32CM-150.000高頻晶振ECX-P33BN-18.432有源石英晶振ECS-2018-147.4-BN高精密晶振ECS-1633-240-BN-TR有源晶振ECS-3525-400-B-TR石英晶振ECS-3225S18-240-FN-TR美國進(jìn)口晶振ECS-240-10-37Q-ES-TR石英晶振ECS-286.3-20-3X-EN-TR高品質(zhì)晶振ECX-L32CM-155.520高頻晶振ECX-P33BN-20.000伊西斯SMD晶振ECS-2018-160-BN有源石英晶振ECS-1633-260-BN-TR石英晶體振蕩器ECS-3525-480-B-TR貼片晶振ECS-3225S18-270-FN-TR伊西斯晶振ECS-250-10-37Q-ES-TR美國進(jìn)口晶振ECS-300-20-3X-EN-TR晶振ECX-L32CM-156.250高頻晶振

      ECX-P33BN-200.000美國伊西斯晶振ECS-TXO-5032-120-TR伊西斯SMD晶振ECS-1618-480-BN-TR低抖動晶振ECS-3525-600-B-TR進(jìn)口晶體振蕩器ECS-3225S18-320-FN-TR石英晶振ECS-260-10-37Q-ES-TR耐高溫晶振ECS-240-20-5PX-TR石英晶體ECX-L32CM-16.000有源晶振ECX-P33BN-212.500有源晶振ECS-TXO-5032-160-TR美國ECS晶振ECS-3963-480-AU-TR高精密晶振ECS-3518-040-B-TR石英晶體振蕩器ECS-3225S18-400-FN-TR貼片晶振ECS-.327-12.5-34QCS-TR低損耗晶振ECS-60-32-5PX-TR無源晶振ECX-L32CM-16.384有源晶振ECS-200-20-3X-TR耐高溫晶振ECX-L32CM-148.500高頻晶振ECX-P33BN-24.000石英晶體振蕩器ECS-TXO-3225-100-TR有源晶振ECS-2033-040-AU有源石英晶振ECS-3518-080-B-TR有源晶振ECS-3953M-480-B-TR進(jìn)口晶體振蕩器ECS-42-12-5PX-TR高品質(zhì)晶振ECS-73-20-5PX-TR伊西斯晶振ECX-L32CM-18.432有源晶振ECS-3X8X石英晶振ECS-TXO-3225-200-TR石英晶體振蕩器ECS-3961-240-AU-TR伊西斯SMD晶振ECS-3953M-800-B-TR晶體振蕩器ECS-3953M-250-B-TR石英晶體振蕩器ECS-122.8-20-5PX-TR晶振ECS-92.1-20-5PX-TR石英晶振ECX-L32CM-20.000有源晶振ECS-.327-12.5-13美國進(jìn)口晶振ECS-2018-300-BN低抖動晶振ECS-2033-240-AU美國伊西斯晶振ECS-VXO-73-32.768-TR大體積晶振ECS-3953M-080-B-TR有源晶振ECS-80-S-5PX-TR石英晶體ECS-40-S-5PX-TR美國進(jìn)口晶振ECX-L32CM-200.000高頻晶振ECS-40-20-5PXDN-TR無源晶振ECS-2018-250-BN高精密晶振ECS-3963-270-AU-TR有源晶振ECS-VXO-73-19.440-TR晶體振蕩器ECS-3953M-100-B-TR美國進(jìn)口晶振ECS-120-20-3X-EN-TR低損耗晶振ECS-160-S-5PX-TR耐高溫晶振ECS-80-18-5PXDN-TR伊西斯晶振ECS-2033-143-AU石英晶體振蕩器ECS-60-20-5PX-TR晶振ECS-3953M-240-B-TR伊西斯晶振ECS-200-20-3X-EN-TR高品質(zhì)晶振ECS-2033-320-AU低抖動晶振ECS-184-S-5PX-TR石英晶體ECS-3518-143-B-TR伊西斯SMD晶振ECS-184-20-3X-TR美國進(jìn)口晶振ECX-L32CM-148.3516高頻晶振ECX-P33BN-16.000低抖動晶振ECS-3953M-400-AU-TR石英晶體振蕩器ECS-1618-260-BN-TR伊西斯SMD晶振ECS-3525-200-B-TR美國進(jìn)口晶振ECS-3225S18-160-FN-TR石英晶體振蕩器ECS-120-20-46X無源晶振ECS-245.7-20-3X-TR低損耗晶振