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藍(lán)牙晶振技術(shù)已有20多年的歷史,是全球連接標(biāo)準(zhǔn)之一,包括點(diǎn)對點(diǎn),廣播和網(wǎng)狀通信拓?fù)?包括高通和Nordic-Semiconductor在內(nèi)的全球通信芯片組制造商中有很大一部分使用藍(lán)牙低功耗(藍(lán)牙LE)或藍(lán)牙基本速率/增強(qiáng)數(shù)據(jù)速率進(jìn)行數(shù)據(jù)傳輸,Golledge晶振很高興能夠?yàn)榕鋵μ峁┙?jīng)認(rèn)可的晶體解決方案使用這些芯片組.

溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO)在各種應(yīng)用中用作穩(wěn)定的頻率參考或時鐘.它們現(xiàn)在提供非常小的SMD封裝.由于高拉伸性,最好的溫度補(bǔ)償只能通過基波中的振蕩晶體來實(shí)現(xiàn).因此,對于大部分穩(wěn)定的TCXO,頻率范圍限制在最大約50至70MHz.然而,許多應(yīng)用需要明顯更高的頻率,因此在應(yīng)用中需要倍頻.這需要額外的空間并導(dǎo)致不期望的干擾頻譜.這里現(xiàn)在設(shè)置新的TCXO類型AXLE113HF和AXLE145HF公司AXTAL到11毫米×小SMD晶振封裝在9毫米和14毫米×9毫米穩(wěn)定的輸出頻率高達(dá)200MHz的標(biāo)準(zhǔn)尺寸提供.這兩種型號的噪聲非常低,并且具有幾個飛秒的非常低的相位抖動.

美國伊利諾斯州萊爾市-CTS公司宣布推出兩款新型時鐘振蕩器系列,專為需要寬工作溫度范圍的汽車,工業(yè)和商業(yè)軍事/航空航天應(yīng)用而設(shè)計.CA系列設(shè)備采用TS16949認(rèn)證生產(chǎn)線生產(chǎn),符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn),符合PPAP標(biāo)準(zhǔn),可在-40°C至+125°C的標(biāo)準(zhǔn)汽車溫度范圍內(nèi)運(yùn)行.CHT系列產(chǎn)品與CA系列具有相同的設(shè)計矩陣,適用于工業(yè)和商業(yè)軍事/航空航天應(yīng)用,工作溫度范圍要求為-55°C至+125°C.新產(chǎn)品系列提供一系列緊湊型密封陶瓷SMD晶振封裝尺寸.系列中的每個型號都提供CMOS輸出,15pf負(fù)載驅(qū)動能力,典型的5ns上升和下降時間以及標(biāo)準(zhǔn)引腳1輸出啟用/禁用功能.頻率穩(wěn)定性在-40°C/+85°C范圍內(nèi)低至±25ppm,對于CA系列在-55°C/+105°C時為±100ppm,對于-55°C/+125°C時為±100ppmCHT系列.

近年來,手機(jī)智能化的進(jìn)程在一步步加速,隨著拍照手機(jī)和大屏手機(jī)在全球市場銷售的火爆,小尺寸的石英晶振成為了重點(diǎn)研發(fā)對象,其中SMD晶振的比重在不斷提升,最常規(guī)用在手機(jī)上的晶振是愛普生MC-146晶振和相互間可替換的晶振SSP-T7-F晶振.

       ECX-P33BN-16.384高精密晶振ECS-2018-080-BN低抖動晶振ECS-1633-192-BN-TR美國伊西斯晶振ECS-3525-320-B-TR伊西斯晶振ECS-3225S18-200-FN-TR有源晶振ECS-.327-12.5-39-TR伊西斯晶振ECS-250-20-3X-TR晶振ECX-P33BN-24.576低抖動晶振ECS-2018-240-BN有源石英晶振ECS-3518-240-B-TR高精密晶振ECS-VXO-73-27.00-TR晶體振蕩器ECS-3953M-500-BN-TR石英晶振ECS-240-16-5PX-TR無源晶振ECS-3X8耐高溫晶振ECS-120-20-3X-TR石英晶體ECX-P33BN-25.000高精密晶振ECS-3525-1000-B-TR伊西斯SMD晶振ECS-3518-400-B-TR有源石英晶振ECS-2033-160-BN大體積晶振ECS-3953M-040-BN-TR貼片晶振ECS-92.1-S-5PX-TR伊西斯晶振ECS-40-18-5PXEN-TR低損耗晶振ECS-160-20-3X-TR無源晶振ECS-2033-240-BN大體積晶振ECS-3953M-018-BN-TR進(jìn)口晶體振蕩器ECS-73-S-5PX-TR石英晶振ECS-76.8-18-5PXEN-TR高品質(zhì)晶振ECS-143-20-3X-TR伊西斯晶振ECX-P33BN-27.000石英貼片晶振ECS-3525-1250-B-TR有源晶振ECS-3951M-160-BN-TR美國伊西斯晶振ECS-1618-120-BN-TR小體積貼片晶振ECS-3953M-200-BN-TR石英晶體振蕩器ECS-3225S25-240-FN-TR貼片晶振ECS-98.3-18-5PXEN-TR晶振ECS-147.4-20-3X-TR石英晶振ECX-L32CM-14.7456石英貼片晶振ECS-3963-1000-AU-TR石英晶體振蕩器ECS-3953M-080-AU-TR有源晶振ECS-1618-192-BN-TR有源石英晶振ECS-3953M-480-AU-TR有源晶振ECS-3225S25-250-FN-TR進(jìn)口晶體振蕩器ECS-42-18-5PXEN-TR石英晶體ECX-P33BN-250.000石英貼片晶振ECS-3963-1000-BN-TR美國伊西斯晶振ECX-L32CM-150.000高頻晶振ECX-P33BN-18.432有源石英晶振ECS-2018-147.4-BN高精密晶振ECS-1633-240-BN-TR有源晶振ECS-3525-400-B-TR石英晶振ECS-3225S18-240-FN-TR美國進(jìn)口晶振ECS-240-10-37Q-ES-TR石英晶振ECS-286.3-20-3X-EN-TR高品質(zhì)晶振ECX-L32CM-155.520高頻晶振ECX-P33BN-20.000伊西斯SMD晶振ECS-2018-160-BN有源石英晶振ECS-1633-260-BN-TR石英晶體振蕩器ECS-3525-480-B-TR貼片晶振ECS-3225S18-270-FN-TR伊西斯晶振ECS-250-10-37Q-ES-TR美國進(jìn)口晶振ECS-300-20-3X-EN-TR晶振ECX-L32CM-156.250高頻晶振

      ECX-P33BN-200.000美國伊西斯晶振ECS-TXO-5032-120-TR伊西斯SMD晶振ECS-1618-480-BN-TR低抖動晶振ECS-3525-600-B-TR進(jìn)口晶體振蕩器ECS-3225S18-320-FN-TR石英晶振ECS-260-10-37Q-ES-TR耐高溫晶振ECS-240-20-5PX-TR石英晶體ECX-L32CM-16.000有源晶振ECX-P33BN-212.500有源晶振ECS-TXO-5032-160-TR美國ECS晶振ECS-3963-480-AU-TR高精密晶振ECS-3518-040-B-TR石英晶體振蕩器ECS-3225S18-400-FN-TR貼片晶振ECS-.327-12.5-34QCS-TR低損耗晶振ECS-60-32-5PX-TR無源晶振ECX-L32CM-16.384有源晶振ECS-200-20-3X-TR耐高溫晶振ECX-L32CM-148.500高頻晶振ECX-P33BN-24.000石英晶體振蕩器ECS-TXO-3225-100-TR有源晶振ECS-2033-040-AU有源石英晶振ECS-3518-080-B-TR有源晶振ECS-3953M-480-B-TR進(jìn)口晶體振蕩器ECS-42-12-5PX-TR高品質(zhì)晶振ECS-73-20-5PX-TR伊西斯晶振ECX-L32CM-18.432有源晶振ECS-3X8X石英晶振ECS-TXO-3225-200-TR石英晶體振蕩器ECS-3961-240-AU-TR伊西斯SMD晶振ECS-3953M-800-B-TR晶體振蕩器ECS-3953M-250-B-TR石英晶體振蕩器ECS-122.8-20-5PX-TR晶振ECS-92.1-20-5PX-TR石英晶振ECX-L32CM-20.000有源晶振ECS-.327-12.5-13美國進(jìn)口晶振ECS-2018-300-BN低抖動晶振ECS-2033-240-AU美國伊西斯晶振ECS-VXO-73-32.768-TR大體積晶振ECS-3953M-080-B-TR有源晶振ECS-80-S-5PX-TR石英晶體ECS-40-S-5PX-TR美國進(jìn)口晶振ECX-L32CM-200.000高頻晶振ECS-40-20-5PXDN-TR無源晶振ECS-2018-250-BN高精密晶振ECS-3963-270-AU-TR有源晶振ECS-VXO-73-19.440-TR晶體振蕩器ECS-3953M-100-B-TR美國進(jìn)口晶振ECS-120-20-3X-EN-TR低損耗晶振ECS-160-S-5PX-TR耐高溫晶振ECS-80-18-5PXDN-TR伊西斯晶振ECS-2033-143-AU石英晶體振蕩器ECS-60-20-5PX-TR晶振ECS-3953M-240-B-TR伊西斯晶振ECS-200-20-3X-EN-TR高品質(zhì)晶振ECS-2033-320-AU低抖動晶振ECS-184-S-5PX-TR石英晶體ECS-3518-143-B-TR伊西斯SMD晶振ECS-184-20-3X-TR美國進(jìn)口晶振ECX-L32CM-148.3516高頻晶振ECX-P33BN-16.000低抖動晶振ECS-3953M-400-AU-TR石英晶體振蕩器ECS-1618-260-BN-TR伊西斯SMD晶振ECS-3525-200-B-TR美國進(jìn)口晶振ECS-3225S18-160-FN-TR石英晶體振蕩器ECS-120-20-46X無源晶振ECS-245.7-20-3X-TR低損耗晶振

為了滿足新太空市場(具有較短任務(wù)壽命的低地球軌道衛(wèi)星)不斷增長的需求,Rakon最近發(fā)布了一種耐輻射XO和一種耐輻射VCXO晶振,兩者均基于COTS(商用現(xiàn)貨)設(shè)計.它們專為需要耐輻射的任務(wù)而設(shè)計,成本合理且交付周期短:TID(總電離劑量)規(guī)格為72或100 kRad(CMOS),單事件閂鎖保證最高32.4或62 MeV(用于LVPECL).

強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和優(yōu)質(zhì)硬件保障當(dāng)然跟我們的電子元件息息相關(guān).傳感器,芯片,石英晶振,IC等等,在高端智能設(shè)備中發(fā)揮著至關(guān)重要的作用.在京東無人輕型貨車中的定位系統(tǒng)通過使用26M溫補(bǔ)晶振實(shí)現(xiàn)了精準(zhǔn)定位,實(shí)現(xiàn)零誤差零耽擱運(yùn)輸速度.高精度,超小尺寸2520晶振協(xié)助前視攝像頭準(zhǔn)確感知,保障了路途前行的安全性.