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大真空VCXO晶振,DSV321SV低消耗電流晶振,1XVD051993VB晶體振蕩器

頻率:6.75~90MH

尺寸:3.2x2.5mm

壓控晶體振蕩器(VCXO)是通過紅外加控制電壓使振蕩效率可變或是可以調制的石英晶體振蕩器,其振蕩頻率由晶體決定,可用控制電壓在小范圍內進行頻率調整。VCXO大多用于鎖相技術、頻率負反饋調制的目的。 控制電壓范圍一般為0V至2V或0V至3V。VCXO的調諧范圍為±100ppm至±200ppm。
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LH-1KDS-1

大真空VCXO晶振,DSV321SV低消耗電流晶振,1XVD051993VB晶體振蕩器壓控晶體振蕩器(VCXO)是通過紅外加控制電壓使振蕩效率可變或是可以調制的石英晶體振蕩器,其振蕩頻率由晶體決定,可用控制電壓在小范圍內進行頻率調整。VCXO大多用于鎖相技術、頻率負反饋調制的目的。 控制電壓范圍一般為0V至2V或0V至3V。VCXO的調諧范圍為±100ppm至±200ppm。

大真空株式會社KDS晶振自1959年建立以來一直遵從的三個理念依賴于可靠的人”“可靠的產品”和”可靠的公司”.作為全球石英晶振制造商,大真空KDS晶振努力幫助實現新一代電子社會,使人們更舒適更方便,通過開發石英晶振,壓控晶體振蕩器(VCXO),溫補晶體振蕩器(TCXO),恒溫晶體振蕩器(OCXO),陶瓷諧振器等晶體器件對全球環境友好.

日本株式會社KDS晶振不斷努力為客戶在日本國內外提供世界一流的質量和滿意的服務.所生產石英晶振,陶瓷晶振,聲表面諧振器,有源晶振等器件遍布全球,包括美國,英國,德國,到中國,新加坡,泰國和其他亞洲國家.以依賴”為公司方針,以客戶為導向,創新高效的經營管理,努力創造利潤,履行企業社會責任.

大真空VCXO晶振,DSV321SV低消耗電流晶振,1XVD051993VB晶體振蕩器日本大真空株式會社KDS晶振,于1993年被天津政府對外資招商部特別邀請在中國天津投資.日本大真空在當年5月份,就在天津市位于武清開發區確定投資建廠,品牌是簡稱(KDS晶振)當時總額1.4億美元,注冊資本4867.3萬美元,占地面積67.5畝.

日本大真空株式會社KDS晶振品牌實力見證未來,KDS晶振集團總公司位于日本兵庫縣加古川,在泰國,印度尼西亞,臺灣,中國天津這些大城市均有壓控晶體振蕩器,貼片晶振,陶瓷霧化片,32.768K鐘表晶振,溫補晶振的生產工廠,而天津KDS晶振工廠是全球石英晶振生產最大量的工廠,自從1993年在天津投產以來,技術更新從未間斷.

LH-2

項目 型名 記號 DSV321SV
出力周波數範囲 0 6.75 ~ 90MHz
電源電圧 VCC +3.3V±0.33V
周波數制御電圧 Vcont +1 .65V±1.65V
保存溫度範囲 T_stg −40~+85℃
動作溫度範囲 T_use −10 ~+70℃  /−30 ~+85℃
周波數許容偏差(常溫偏差含む) f_tol ±40×10 −6  max.
周波數可変範囲 f_cont ±125×10 −6  min./±100×10 −6  min. [Positive Slope]
消費電流 ICC 5mA max.  (6 .75MHz≦f0 ≦40MHz)
8mA max.  (40MHz<f0 ≦54MHz)
12mA max.  (54MHz<f0 ≦90MHz)
[No Load]
出力負荷 L_CMOS 15pF
波形シンメトリ SYM 40~60% [50% VCC  Level]
0レベル電圧 VOL VCC ×0. 1 max.
1レベル電圧 VOH VCC ×0.9 min.
立上り時間
立下り時間
tr, tf 10ns max.  (6 .75MHz≦f0 ≦40MHz)
6ns max.  (40MHz<f0 ≦54MHz)
4ns max.  (54MHz<f0 ≦90MHz)
 [10~90% VCC  Level]
ピリオド   ジッタ (1) tRMS 2.4ps typ. (σ)
tp-p 22ps typ. (Peak to peak)
トータル   ジッタ(1) tTL 33ps typ. [tDJ + n×tRJ  n=14. 1(BER=1×10- 12)(2)]
位相ジッタ tpj 1ps max. (10MHz≦f0<40MHz, f0  offset:12kHz~5MHz、
f0 ≧40MHz, f0  offset:12kHz~20MHz)
梱包単位 (3) 2000pcs./reel(φ180)

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DSV321SV 2.8V3.3V

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大真空VCXO晶振,DSV321SV低消耗電流晶振,1XVD051993VB晶體振蕩器

電處理:
將電源連接到有源晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示.注意電源的正負電極逆轉或者連接到一個終端以,以為外的指定一個產品部分內的石英晶振,假如損壞那將不會工作.此外如果外接電源電壓高于晶振的規定電壓值,就很可能會導致石英貼片晶振產品損壞.所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產品將會不起振,或者起不到最佳精度.
抗沖擊
抗沖擊是指晶振產品可能會在某些條件下受到損壞.例如從桌上跌落,摔打,高空拋壓或在貼裝過程中受到沖擊.如果產品已受過沖擊請勿使用.因為無論何種石英晶振,其內部晶片都是石英晶振制作而成的,高空跌落摔打都會給晶振照成不良影響. 
有源晶振的負載電容與阻抗
負載電容與阻抗有源晶振設置一個規定的負載阻抗值.當一個值除了規定的一個設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時,指定的值這可能會導致問題例如:失真的輸出波形.特別是設置電抗,根據規范的負載阻抗.輸出頻率和輸出電平,當測量輸出頻率或輸出水平,晶體振蕩器調整的輸入阻抗,測量儀器的負載阻抗晶體振蕩器.當輸入阻抗的測量儀器,不同的負載阻抗的晶體振蕩器,測量輸出頻率或輸出水平高,阻抗阻抗測量可以忽略.大真空VCXO晶振,DSV321SV低消耗電流晶振,1XVD051993VB晶體振蕩器
耐焊性:
將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產品特性或損害產品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產品.在下列回流條件下,對石英晶振產品甚至耐高溫晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進行檢查.如果需要焊接的晶振產品在下列配置條件下進行焊接,請聯系我們以獲取耐熱的相關信息.
機械處理
當有源晶振發生外置撞擊時,任何石英晶體振蕩器在遭到外部撞擊時,或者產品不小心跌落時,強烈的外置撞擊都將會導致晶振損壞,或者頻率不穩定現象.不執行任何強烈的沖擊石英晶體振蕩器.如果一個強大的沖擊已經給振蕩器確保在使用前檢查其特點.

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大真空VCXO晶振,DSV321SV低消耗電流晶振,1XVD051993VB晶體振蕩器

日本大真空株式會社KDS晶振遵守法規和監管要求,從事環保產品的開發.

環境政策,在其業務活動的所有領域,從開發,生產和銷售的石英晶體元器件,石英晶振,有源晶振,壓電陶瓷諧振器,大真空集團業務政策促進普遍信任的環境管理活動.

日本大真空株式會社KDS晶振將:

通過適當控制環境影響的物質,減少能源的使用,以達到節約能源和節約資源的目的.

有效利用資源,防止環境污染,減少和妥善處理廢物,包括再利用和再循環.

通過開展節能活動和減少二氧化碳排放防止全球變暖.

避免采購或使用直接或間接資助或受益剛果民主共和國或鄰近國家武裝組織的礦產.

遵守有關環境保護的法律,標準,協議和任何公司承諾的其他要求.

根據環境方針制定環境目標和目標,同時促進這些活動,并定期檢討環境管理體系的持續改進.在我們的環境政策中教育所有員工和為我們的團隊工作的人,通過教育和提高意識來提高他們的環保意識.確保公眾環境保護活動的信息公開.

KDS晶振集團認識到進行環境管理和資源保持的責任和必要性,同時也認識到針對全球環境問題,為保持國際環境而進行各行業建設性的合作是極其重要的.

過去KDS晶振集團已經針對重大污染控制項目建立了一整套記錄程序并且將繼續識別解決其自身環境污染及保持問題,加強責任感以便進行環境績效的持續改進.

大真空VCXO晶振,DSV321SV低消耗電流晶振,1XVD051993VB晶體振蕩器KDS晶振集團將:不論何時何地盡可能的進行源頭污染預防.為環境目標指標的建立與評審提供框架.通過充分利用或回收等方法實現對自然資源的保持.

KDS晶振集團將確保其產品及相關設施滿足甚至超出國家的,州立的以及地方環保機構的相關法規規定及其他要求,同時該公司盡可能的參與并協助政府機關和其他官方組織從事的環保活動. 在地方對各項設施的管理責任中,確保滿足方針的目標指標,同時在各種經營與生產活動中完全遵守并符合現行所有標準規范的要求.

DSV321SV.3225

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深圳市火運電子有限公司

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手機聯系:136-3294-3514

Q Q聯系:969080538

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貼片晶體產品可滿足不同應用程序的需求,適合用于發動機控制,輪胎氣壓監測系統(TPMS),高速車載網絡,小型設備,便攜式設備等領域。CX3225GA30000D0PTVCC,Kyocera車載音響晶振,CX3225GA陶瓷諧振器.



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