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Rakon晶振,貼片晶振,CFPT9300晶振

頻率:1.25-52MHz

尺寸:5.0*3.2mm

   有源晶振,是只晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS 集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開(kāi)時(shí)的消費(fèi)電流是15 µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無(wú)鉛對(duì)應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要



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LH-1

RK-1

  瑞康晶振,貼片晶振,CFPT9300晶振貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

  石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。

LH-2

項(xiàng)目

符號(hào)

規(guī)格說(shuō)明

條件

輸出頻率范圍

f0

1.25-52MHz

請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息

電源電壓

VCC

1.60 V to 3.63 V

請(qǐng)聯(lián)系我們以了解更多相關(guān)信息

儲(chǔ)存溫度

T_stg

-55 to +125

裸存

工作溫度

T_use

G: -40 to +85

請(qǐng)聯(lián)系我們查看更多資料http://www.cn-dongyang.com

H: -40 to +105

J: -40 to +125

頻率穩(wěn)定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

 

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

無(wú)負(fù)載條件、最大工作頻率

待機(jī)電流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

輸出電壓

VOH

VCC-0.4V Min.

 

VOL

0.4 V Max.

 

輸出負(fù)載條件

L_CMOS

15 pF Max.

 

輸入電壓

VIH

80% VCC Max.

ST 終端

VIL

20 % VCC Max.

上升/下降時(shí)間

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCC to 80 % VCC , L_CMOS=15 pF

振蕩啟動(dòng)時(shí)間

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

頻率老化

f_aging

±3 × 10-6 / year Max.

+25 , 初年度,第一年

LH-3

CFPT9300 5032 TCXO

LH-4

如何正確的使用有源晶振

電處理:

將電源連接到有源晶振指定的終端,確定正確的極性這目錄所示。注意電源的正負(fù)電極逆轉(zhuǎn)或者連接到一個(gè)終端以,以為外的指定一個(gè)產(chǎn)品部分內(nèi)的石英晶振,假如損壞那將不會(huì)工作。此外如果外接電源電壓高于晶振的規(guī)定電壓值,就很可能會(huì)導(dǎo)致石英晶振產(chǎn)品損壞。所以外接電壓很重要,一定要確保使用正確的額定電壓的振蕩,但如果電壓低于額定的電壓值部分產(chǎn)品將會(huì)不起振,或者起不到最佳精度。瑞康晶振,貼片晶振,CFPT9300晶振

LH-5

RK-2

瑞康晶振環(huán)保方針:

瑞康晶振通過(guò)產(chǎn)品生命周期提高整體節(jié)能貢獻(xiàn)和環(huán)境績(jī)效的舉措。制造-環(huán)境友好生產(chǎn)—優(yōu)化-提高性能/效率的節(jié)能貢獻(xiàn)—通過(guò)制造致密/復(fù)雜產(chǎn)品減少資源節(jié)約—環(huán)境消除/減少環(huán)境負(fù)荷物質(zhì)—這些是倡議的支柱。

瑞康晶振科技股份有限公司,依據(jù)‘ISO 14001環(huán)境/OHSAS-18001安衛(wèi)管理系統(tǒng)’要求制定本‘環(huán)境/安衛(wèi)手冊(cè)’,以界定本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之范圍,包括任何排除之細(xì)節(jié)及調(diào)整,并指引環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)與各書面、辦法書之對(duì)應(yīng)關(guān)系,包含在環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)內(nèi)之流程順序及交互作用的描述。本公司環(huán)境/安衛(wèi)管理系統(tǒng)之適用范圍包含公司所有的活動(dòng)、產(chǎn)品及服務(wù)。瑞康晶振,貼片晶振,CFPT9300晶振

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深圳市火運(yùn)電子有限公司

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LV-PECL差分晶振,日本NDK晶振,NP2016SA,低抖動(dòng)晶振,2016貼片晶振,日本NDK晶振NP2016SA型號(hào)的晶振是LV-PECL輸出的差分晶振。該晶振尺寸:2.0×1.6×0.7mm;電源電壓:+2.5V或+3.3V;低相位抖動(dòng) : Max. 100fs @156.25MHz;為無(wú)鉛產(chǎn)品。適用于數(shù)據(jù)中心,光模塊,DSP時(shí)鐘。差分晶振常用于高精度的時(shí)鐘應(yīng)用,如通信設(shè)備、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器和精密儀器等。它的優(yōu)點(diǎn)包括低相位噪聲、低抖動(dòng)和高頻率穩(wěn)定性,能夠滿足一些對(duì)時(shí)鐘信號(hào)質(zhì)量要求較高的應(yīng)用場(chǎng)景。差分晶振可提供兩種相位彼此完全相反的信號(hào),差分晶體振蕩器屬于行業(yè)里極其高端的有源晶振,擁有LVDS,LVPECL,HCMOS 等輸出方式,我們常見(jiàn)的是貼片差分晶振,體積有微小型也有大體積,常規(guī)的輸出方式是 LVDS,因此在業(yè)界中還有 LVDS 差分晶振這一說(shuō)法,軍事設(shè)備與工業(yè)設(shè)備應(yīng)用比較比較多。
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GPS導(dǎo)航晶振,DSA211SDN,壓控溫補(bǔ)晶振,1XXC20000MAA,大真空2016晶振,DSA211SDN系列中的1XXC20000MAA晶振的尺寸為2.0x1.6mm,是2016晶振,頻率是20.000MHZ,日本進(jìn)口晶振,支持低電壓,低相位噪聲,單封裝結(jié)構(gòu),用途為手機(jī)、GPS/GNSS、工業(yè)無(wú)線電通信等,符合 ROHS/無(wú)鉛。VC-TCXO晶振應(yīng)用:智能手機(jī)晶體、無(wú)線基站、精密儀器、GPS衛(wèi)星、汽車應(yīng)用等。日本KDS晶振,大真空有源振蕩器,有源貼片晶振,石英有源晶振,2016mm有源晶振,壓控溫補(bǔ)晶振,GPS導(dǎo)航晶振,大真空2016晶振。
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日本進(jìn)口晶振,1XXB16368MAA,溫補(bǔ)振蕩器,DSB221SDN,2520石英貼片,日本進(jìn)口晶振DSB 221SDN系列中的1XXB16368MAA晶振,尺寸2.5x2.0mm,為2520石英貼片,頻率16.368MHZ,KDS晶振,石英晶體振蕩器,TCXO溫補(bǔ)晶振,有源晶體振蕩器,溫補(bǔ)晶體振蕩器,石英有源晶振,2520mm有源晶振,溫補(bǔ)石英晶振,貼片溫補(bǔ)振蕩器,低抖動(dòng)溫補(bǔ)晶振,低電壓溫補(bǔ)晶振,低相位溫補(bǔ)晶振,低相噪溫補(bǔ)晶振,低耗能溫補(bǔ)晶振,高質(zhì)量溫補(bǔ)晶振,移動(dòng)電話溫補(bǔ)晶振,2520石英晶體振蕩器,GPS全球定位系統(tǒng)晶振,測(cè)試設(shè)備有源晶振,空中雷達(dá)有源晶振,6G電信有源晶振,交換機(jī)有源晶振,網(wǎng)絡(luò)應(yīng)用有源晶振,具有低耗能高質(zhì)量的特點(diǎn)。該產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于各種通信、導(dǎo)航、雷達(dá)、衛(wèi)星定位系統(tǒng)、移動(dòng)通信、程控電話交換機(jī)、各類電子測(cè)量?jī)x表中。
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