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微晶晶振,貼片晶振,VCXO2E晶振

頻率：32.768KHz

尺寸：5.0*3.2mm

貼片晶振本身體積小,超薄型石英晶體諧振器,特別適用于有目前高速發(fā)展的高端電子數(shù)碼產(chǎn)品,因為晶振本身小型化需求的市場領域,小型?薄型是對應陶瓷諧振器（偏差大）和普通的石英晶體諧振器（偏差小）的中間領域的一種性價比較出色的產(chǎn)品.產(chǎn)品廣泛用于筆記本電腦,無線電話,衛(wèi)星導航HDD, SSD, USB, Blu-ray等用途,符合無鉛焊接的高溫回流焊曲線特性.

訂購熱線：0755-29952551

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微晶晶振,貼片晶振,VCX02E晶振，智能手機晶振,產(chǎn)品具有高精度超小型的表面貼片型石英晶體振蕩器,最適用于移動通信終端的基準時鐘等移動通信領域.比如智能手機,無線通信,衛(wèi)星導航,平臺基站等較高端的數(shù)碼產(chǎn)品,晶振本身小型,薄型具備各類移動通信的基準時鐘源用頻率,貼片晶振具有優(yōu)良的電氣特性,耐環(huán)境性能適用于移動通信領域,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.

石英晶振的真空封裝技術：是指石英晶振在真空封裝區(qū)域內(nèi)進行封裝。1.防止外界氣體進入組件體內(nèi)受到污染和增加應力的產(chǎn)生；2.使晶振組件在真空下電阻減小；3.氣密性高。此技術為研發(fā)及生產(chǎn)超小型、超薄型石英晶振必須攻克的關鍵技術之一

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微晶晶振規(guī)格	單位	晶振頻率范圍	石英晶振基本條件
標準頻率	f_nom	32.768KHz	標準頻率
儲存溫度	T_stg	-40°C ～ +125°C	裸存
工作溫度	T_use	-40°C ～ +85°C	標準溫度
激勵功率	DL	200μW Max.	推薦:1μW ～ 100μW
頻率公差	f_— l	±50 × 10-6 (標準), (±15 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用)	+25°C 對于超出標準的規(guī)格說明, 請聯(lián)系我們以便獲取相關的信息,http://www.cn-dongyang.com/
頻率溫度特征	f_tem	±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C	超出標準的規(guī)格請聯(lián)系我們.
負載電容	CL	7pF ～ ∞	超出標準說明,請聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR)	R1	如下表所示	-40°C — +85°C, DL = 100μW
頻率老化	f_age	±5 × 10-6 / year Max.	+25°C,第一年

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VCXO2E 5032 VCXO

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有源晶振的負載電容與阻抗

負載電容與阻抗有源晶振設置一個規(guī)定的負載阻抗值。當一個值除了規(guī)定的一個設置為負載阻抗輸出頻率和輸出電平不會滿足時，指定的值這可能會導致問題例如：失真的輸出波形。特別是設置電抗，根據(jù)規(guī)范的負載阻抗。輸出頻率和輸出電平，當測量輸出頻率或輸出水平，晶體振蕩器調(diào)整的輸入阻抗，測量儀器的負載阻抗晶體振蕩器。當輸入阻抗的測量儀器，不同的負載阻抗的晶體振蕩器，測量輸出頻率或輸出水平高，阻抗阻抗測量可以忽略。

微晶晶振,貼片晶振,VCXO2E晶振

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