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高精度晶片的拋光技術(shù)：是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù)，最終使晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值，使石英晶體元器件可在更低功耗下工作
高精度晶片的拋光技術(shù)：是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù)，最終使晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值，使石英晶體元器件可在更低功耗下工作
高精度晶片的拋光技術(shù)：是目前晶片研磨技術(shù)中表面處理技術(shù)的最高技術(shù)，最終使晶片表面更光潔，平行度及平面度更好，降低諧振電阻，提高Q值。從而達(dá)到一般研磨所達(dá)不到的產(chǎn)品性能，使石英晶體元器件的等效電阻等更接近理論值，使石英晶體元器件可在更低功耗下工作
有源石英晶振，無(wú)論是溫補(bǔ)晶體也好，壓控晶振也罷，產(chǎn)品均采用了，離子刻蝕調(diào)頻技術(shù)，比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻，主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升：１.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.產(chǎn)品的激勵(lì)功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升；３.產(chǎn)品的長(zhǎng)期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)
有源石英晶振，無(wú)論是溫補(bǔ)晶體也好，壓控晶振也罷，產(chǎn)品均采用了，離子刻蝕調(diào)頻技術(shù)，比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻，主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升：１.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.產(chǎn)品的激勵(lì)功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升；３.產(chǎn)品的長(zhǎng)期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)
有源石英晶振，無(wú)論是溫補(bǔ)晶體也好，壓控晶振也罷，產(chǎn)品均采用了，離子刻蝕調(diào)頻技術(shù)，比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻，主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升：１.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.產(chǎn)品的激勵(lì)功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升；３.產(chǎn)品的長(zhǎng)期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)
有源石英晶振，無(wú)論是溫補(bǔ)晶體也好，壓控晶振也罷，產(chǎn)品均采用了，離子刻蝕調(diào)頻技術(shù)，比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻，主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升：１.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.產(chǎn)品的激勵(lì)功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升；３.產(chǎn)品的長(zhǎng)期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)
有源石英晶振，無(wú)論是溫補(bǔ)晶體也好，壓控晶振也罷，產(chǎn)品均采用了，離子刻蝕調(diào)頻技術(shù)，比目前一般使用的真空蒸鍍方式調(diào)頻，主要在產(chǎn)品參數(shù)有以下提升：１.微調(diào)后調(diào)整頻率能控制在±2ppm，一般只能保持在±５ppm；２.產(chǎn)品的激勵(lì)功率相關(guān)性參數(shù)有大幅提升；３.產(chǎn)品的長(zhǎng)期老化率可保證在±2ppm之內(nèi)
貼片有源石英晶振是指在普通無(wú)源晶體上增加了電壓，內(nèi)部集成了相應(yīng)IC與電容電阻，需要在凈化萬(wàn)級(jí)車間生產(chǎn)，并且在密封機(jī)器設(shè)備中焊接加蓋，內(nèi)部封裝模式是指在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。
貼片有源石英晶振是指在普通無(wú)源晶體上增加了電壓，內(nèi)部集成了相應(yīng)IC與電容電阻，需要在凈化萬(wàn)級(jí)車間生產(chǎn)，并且在密封機(jī)器設(shè)備中焊接加蓋，內(nèi)部封裝模式是指在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。
貼片有源石英晶振是指在普通無(wú)源晶體上增加了電壓，內(nèi)部集成了相應(yīng)IC與電容電阻，需要在凈化萬(wàn)級(jí)車間生產(chǎn)，并且在密封機(jī)器設(shè)備中焊接加蓋，內(nèi)部封裝模式是指在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。
貼片有源石英晶振是指在普通無(wú)源晶體上增加了電壓，內(nèi)部集成了相應(yīng)IC與電容電阻，需要在凈化萬(wàn)級(jí)車間生產(chǎn)，并且在密封機(jī)器設(shè)備中焊接加蓋，內(nèi)部封裝模式是指在真空封裝區(qū)域內(nèi)進(jìn)行封裝。
卡迪納爾超低成本的時(shí)鐘振蕩器，Cardinal是一家專注于研發(fā)設(shè)計(jì)高質(zhì)量元器件的供應(yīng)商，通過(guò)不斷打磨自身的有源石英晶振產(chǎn)品，并因此贏得廣大用戶的追棒，隨著電子行業(yè)的快速發(fā)展，迎來(lái)更多機(jī)會(huì)的同時(shí)，也有大量的需求無(wú)法被滿足，Cardinal公司利用自身的資源，不斷挖掘市場(chǎng)的需求，并針對(duì)性提供完美的解決方案。
Cardinal Components Inc，Inc .致力于通過(guò)提高產(chǎn)量、降低成本、提高客戶滿意度以及滿足員工對(duì)培訓(xùn)、安全和士氣的期望來(lái)持續(xù)提高質(zhì)量。
高速串行總線體系結(jié)構(gòu)是今天的高性能設(shè)計(jì)。While并聯(lián)總線標(biāo)準(zhǔn)正在發(fā)生一些變化，串行總線跨多個(gè)市場(chǎng)和設(shè)備建立電腦、手機(jī)、娛樂(lè)系統(tǒng)，以及更多串行總線具有性能優(yōu)勢(shì)電路和電路板布局。串行數(shù)據(jù)鏈路的行為就像當(dāng)他們從一個(gè)在處理系統(tǒng)中指向另一個(gè)。確保準(zhǔn)確的交付和接收，數(shù)字?jǐn)?shù)據(jù)系統(tǒng)由時(shí)鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù)（CDR）管理電路，然后在數(shù)據(jù)系統(tǒng)。準(zhǔn)確收據(jù)的關(guān)鍵對(duì)數(shù)據(jù)的解釋特別與了解有關(guān)精確地說(shuō)，時(shí)鐘邊沿在任何時(shí)間點(diǎn)的“位置”。
由于發(fā)射和接收設(shè)備可以任何地方——從同一個(gè)桌面到另一邊世界上每一個(gè)不同的地方都有影響可能影響時(shí)鐘運(yùn)行方式的位置或環(huán)境從發(fā)送數(shù)據(jù)到時(shí)間a的邊緣漂移設(shè)備接收并解釋數(shù)據(jù)。這些影響是多方面的，并且包括溫度，物理運(yùn)動(dòng)/振動(dòng)，甚至?xí)r鐘信號(hào)源的體系結(jié)構(gòu)。結(jié)果要么有準(zhǔn)確的數(shù)據(jù)，要么沒有，以及“不”顯然在任何系統(tǒng)中都不是一個(gè)選項(xiàng)。對(duì)于最終用戶——這可能意味著體驗(yàn)質(zhì)量差，并干擾互聯(lián)網(wǎng)會(huì)話和相關(guān)內(nèi)容服務(wù)（語(yǔ)音質(zhì)量差，觀看不均衡視頻內(nèi)容或損壞的數(shù)據(jù)文件的體驗(yàn)內(nèi)容）。作為時(shí)鐘邊沿與它被預(yù)期的位置被稱為“抖動(dòng)”。有its中通常使用的抖動(dòng)的三個(gè)量化測(cè)量：
這可以被視為“精細(xì)焦點(diǎn)”測(cè)量這通常被稱為“絕對(duì)抖動(dòng)”時(shí)鐘邊緣的位置與它的理想位置——通常由使用
網(wǎng)絡(luò)分析儀（圖A）；
峰值抖動(dòng)和峰峰值抖動(dòng) 這可以被認(rèn)為是“粗糙的” 測(cè)量和被分解成兩部分特點(diǎn):
周期抖動(dòng)（又名周期抖動(dòng)）任意一個(gè)時(shí)鐘周期之間的差異以及理想或平均時(shí)鐘周期——通常通過(guò)測(cè)量顯示示波器的信號(hào)周期（圖B） ，和循環(huán)到循環(huán)抖動(dòng)--任意兩個(gè)相鄰時(shí)鐘周期的持續(xù)時(shí)間。它對(duì)于某些類型的時(shí)鐘來(lái)說(shuō)可能很重要微處理器中使用的生成電路和RAM接口，并用示波器（圖C）
抖動(dòng)性能/規(guī)格限制由ITU-T等標(biāo)準(zhǔn)化機(jī)構(gòu)確定，Telcordia和IEEE。規(guī)范和測(cè)試本地以太網(wǎng)（IEEE）抖動(dòng)的方法不同與用于SDH/SONET/SyncE（ITU-T、Telcordia）的那些不同。
作為下一代串行標(biāo)準(zhǔn)的數(shù)據(jù)速率增加，模擬異常對(duì)信號(hào)完整性和質(zhì)量。信號(hào)通路中的導(dǎo)體，包括電路板
跡線、過(guò)孔、連接器和布線具有回波損耗的輸電線路效應(yīng)降低信號(hào)電平、引起偏斜的反射，并增加噪聲，從而增加抖動(dòng)。每件事但是從基本系統(tǒng)時(shí)鐘信號(hào)開始（SYSCLK或主時(shí)鐘）。與重要時(shí)鐘信號(hào)的性能特征、成本產(chǎn)生信號(hào)的方式可能會(huì)有很大的變化10倍--取決于體系結(jié)構(gòu)和設(shè)計(jì)使用的方法。
幫助實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)沒有過(guò)多的性能保護(hù)帶（以及因此成本過(guò)高），本文的重點(diǎn)是提供不同體系結(jié)構(gòu)的更新用于創(chuàng)建符合每個(gè)特定高速串行數(shù)據(jù)實(shí)施方案。具體的抖動(dòng)類型，定義和符合性測(cè)試方法已經(jīng)有很好的記錄，不會(huì)重復(fù).
用于創(chuàng)建系統(tǒng)時(shí)鐘是石英晶體振蕩器（“XO”），一種經(jīng)過(guò)驗(yàn)證的技術(shù)使用多年。晶體振蕩器本身具有固有抖動(dòng)特性及其輸出抖動(dòng)根據(jù)設(shè)計(jì)/電路及其單元而變化價(jià)格智能系統(tǒng)設(shè)計(jì)師意識(shí)到系統(tǒng)/產(chǎn)品/設(shè)計(jì)的成本本身就是需要滿足的“規(guī)范”。這篇文章一起描述了創(chuàng)建信號(hào)的每種方法帶有推薦表以幫助潛在用戶
避免產(chǎn)生比必需的.
美國(guó)IDT時(shí)鐘晶體振蕩器的優(yōu)勢(shì)，美國(guó)IDT公司是一家小有名氣的頻率元器件供應(yīng)商，主要向市場(chǎng)提供低成本高精度的石英晶振，時(shí)鐘振蕩器，有源石英晶振等產(chǎn)品，伴隨著行業(yè)快速發(fā)展，對(duì)于IDT公司而言，也迎來(lái)極大的挑戰(zhàn)，為了能夠突破目前的困境，實(shí)現(xiàn)快速增長(zhǎng)，IDT公司結(jié)合目前的市場(chǎng)需求，憑借著自身獨(dú)特的創(chuàng)新能力，專注于打磨品質(zhì)優(yōu)良，性能出色的產(chǎn)品，產(chǎn)品一經(jīng)推出便得到市場(chǎng)極佳的反響，并為IDT公司未來(lái)發(fā)展打下基石。
每位產(chǎn)品設(shè)計(jì)師每天都必須處理電磁兼容性(EMC)或電磁干擾(EMI)問(wèn)題，尤其是在使用石英振蕩器等頻率確定元件時(shí)。安裝在石英晶體振蕩器中的ic會(huì)產(chǎn)生陡峭、邊緣銳利的側(cè)翼，并產(chǎn)生強(qiáng)烈的諧波泛音。擴(kuò)頻振蕩器是解決這一問(wèn)題的一種方法，但在許多應(yīng)用中無(wú)法使用。例如，在中心擴(kuò)展為0.5%的情況下，輸出頻率在f在外0.5%.給定33.333或66.666MHz的頻率，0.5%的頻率調(diào)制意味著頻率調(diào)制范圍為33.333 MHz±166.665kHz或66.666MHz±333.330kHz，這對(duì)精確計(jì)時(shí)來(lái)說(shuō)太大了。這些應(yīng)用通常只允許50 ppm，或者說(shuō)低100倍。50ppm的頻率穩(wěn)定性相當(dāng)于33.333MHz時(shí)的容差為1.66665kHz，或66.666 MHz時(shí)的容差為3.3333kHz。在這種情況下，開發(fā)商迄今為止不得不采取非常昂貴的措施來(lái)降低EMC–EMI。這已經(jīng)沒有必要了。Landsberg am Lech的Petermann-Technik基于創(chuàng)新的IC技術(shù)——下一代時(shí)鐘——提供高度多樣化的SMD硅時(shí)鐘振蕩器，具有軟電平輸出信號(hào)。軟電平技術(shù)是一種可編程輸出信號(hào)，通過(guò)延長(zhǎng)上升時(shí)間(t)可以顯著降低LVCMOS輸出信號(hào)的諧波含量升高)和下降時(shí)間(t秋天).軟電平技術(shù)允許根據(jù)客戶要求精確調(diào)整輸出信號(hào)。
軟級(jí)別功能的作用
圖1顯示了LVCMOS輸出信號(hào)的周期t和t升高和t秋天20 %到80 %之間。圖2顯示了正常LVCMOS方波信號(hào)(紅線)與+3.3V電源電壓下的軟電平LVCMOS輸出信號(hào)(藍(lán)線)的邊沿輪廓直流電。該圖清楚地顯示了SoftLevel函數(shù)如何使方波的邊緣變圓(產(chǎn)生類似鯊魚鰭的形狀),從而顯著降低諧波泛音。圖3顯示了EMC–EMI衰減(奇次諧波)與輸出信號(hào)周期t的關(guān)系。t升高和t秋天與時(shí)鐘信號(hào)的周期t成比例。美國(guó)IDT時(shí)鐘晶體振蕩器的優(yōu)勢(shì).
MVIP5陶瓷六腳晶振,MVIL3貼片石英晶振,MVAH514針插件晶振,MVAH314針插件晶振,MVBH58針DIP晶振,MVBH38針DIP晶振,MVIH55070陶瓷晶振,MVIH3有源壓控晶振,MVKH5VCXO貼片晶振,MVKH3有源石英晶振
ECX-P33BN-16.384高精密晶振ECS-2018-080-BN低抖動(dòng)晶振ECS-1633-192-BN-TR美國(guó)伊西斯晶振ECS-3525-320-B-TR伊西斯晶振ECS-3225S18-200-FN-TR有源晶振ECS-.327-12.5-39-TR伊西斯晶振ECS-250-20-3X-TR晶振ECX-P33BN-24.576低抖動(dòng)晶振ECS-2018-240-BN有源石英晶振ECS-3518-240-B-TR高精密晶振ECS-VXO-73-27.00-TR晶體振蕩器ECS-3953M-500-BN-TR石英晶振ECS-240-16-5PX-TR無(wú)源晶振ECS-3X8耐高溫晶振ECS-120-20-3X-TR石英晶體ECX-P33BN-25.000高精密晶振ECS-3525-1000-B-TR伊西斯SMD晶振ECS-3518-400-B-TR有源石英晶振ECS-2033-160-BN大體積晶振ECS-3953M-040-BN-TR貼片晶振ECS-92.1-S-5PX-TR伊西斯晶振ECS-40-18-5PXEN-TR低損耗晶振ECS-160-20-3X-TR無(wú)源晶振ECS-2033-240-BN大體積晶振ECS-3953M-018-BN-TR進(jìn)口晶體振蕩器ECS-73-S-5PX-TR石英晶振ECS-76.8-18-5PXEN-TR高品質(zhì)晶振ECS-143-20-3X-TR伊西斯晶振ECX-P33BN-27.000石英貼片晶振ECS-3525-1250-B-TR有源晶振ECS-3951M-160-BN-TR美國(guó)伊西斯晶振ECS-1618-120-BN-TR小體積貼片晶振ECS-3953M-200-BN-TR石英晶體振蕩器ECS-3225S25-240-FN-TR貼片晶振ECS-98.3-18-5PXEN-TR晶振ECS-147.4-20-3X-TR石英晶振ECX-L32CM-14.7456石英貼片晶振ECS-3963-1000-AU-TR石英晶體振蕩器ECS-3953M-080-AU-TR有源晶振ECS-1618-192-BN-TR有源石英晶振ECS-3953M-480-AU-TR有源晶振ECS-3225S25-250-FN-TR進(jìn)口晶體振蕩器ECS-42-18-5PXEN-TR石英晶體ECX-P33BN-250.000石英貼片晶振ECS-3963-1000-BN-TR美國(guó)伊西斯晶振ECX-L32CM-150.000高頻晶振ECX-P33BN-18.432有源石英晶振ECS-2018-147.4-BN高精密晶振ECS-1633-240-BN-TR有源晶振ECS-3525-400-B-TR石英晶振ECS-3225S18-240-FN-TR美國(guó)進(jìn)口晶振ECS-240-10-37Q-ES-TR石英晶振ECS-286.3-20-3X-EN-TR高品質(zhì)晶振ECX-L32CM-155.520高頻晶振ECX-P33BN-20.000伊西斯SMD晶振ECS-2018-160-BN有源石英晶振ECS-1633-260-BN-TR石英晶體振蕩器ECS-3525-480-B-TR貼片晶振ECS-3225S18-270-FN-TR伊西斯晶振ECS-250-10-37Q-ES-TR美國(guó)進(jìn)口晶振ECS-300-20-3X-EN-TR晶振ECX-L32CM-156.250高頻晶振
ECX-P33BN-200.000美國(guó)伊西斯晶振ECS-TXO-5032-120-TR伊西斯SMD晶振ECS-1618-480-BN-TR低抖動(dòng)晶振ECS-3525-600-B-TR進(jìn)口晶體振蕩器ECS-3225S18-320-FN-TR石英晶振ECS-260-10-37Q-ES-TR耐高溫晶振ECS-240-20-5PX-TR石英晶體ECX-L32CM-16.000有源晶振ECX-P33BN-212.500有源晶振ECS-TXO-5032-160-TR美國(guó)ECS晶振ECS-3963-480-AU-TR高精密晶振ECS-3518-040-B-TR石英晶體振蕩器ECS-3225S18-400-FN-TR貼片晶振ECS-.327-12.5-34QCS-TR低損耗晶振ECS-60-32-5PX-TR無(wú)源晶振ECX-L32CM-16.384有源晶振ECS-200-20-3X-TR耐高溫晶振ECX-L32CM-148.500高頻晶振ECX-P33BN-24.000石英晶體振蕩器ECS-TXO-3225-100-TR有源晶振ECS-2033-040-AU有源石英晶振ECS-3518-080-B-TR有源晶振ECS-3953M-480-B-TR進(jìn)口晶體振蕩器ECS-42-12-5PX-TR高品質(zhì)晶振ECS-73-20-5PX-TR伊西斯晶振ECX-L32CM-18.432有源晶振ECS-3X8X石英晶振ECS-TXO-3225-200-TR石英晶體振蕩器ECS-3961-240-AU-TR伊西斯SMD晶振ECS-3953M-800-B-TR晶體振蕩器ECS-3953M-250-B-TR石英晶體振蕩器ECS-122.8-20-5PX-TR晶振ECS-92.1-20-5PX-TR石英晶振ECX-L32CM-20.000有源晶振ECS-.327-12.5-13美國(guó)進(jìn)口晶振ECS-2018-300-BN低抖動(dòng)晶振ECS-2033-240-AU美國(guó)伊西斯晶振ECS-VXO-73-32.768-TR大體積晶振ECS-3953M-080-B-TR有源晶振ECS-80-S-5PX-TR石英晶體ECS-40-S-5PX-TR美國(guó)進(jìn)口晶振ECX-L32CM-200.000高頻晶振ECS-40-20-5PXDN-TR無(wú)源晶振ECS-2018-250-BN高精密晶振ECS-3963-270-AU-TR有源晶振ECS-VXO-73-19.440-TR晶體振蕩器ECS-3953M-100-B-TR美國(guó)進(jìn)口晶振ECS-120-20-3X-EN-TR低損耗晶振ECS-160-S-5PX-TR耐高溫晶振ECS-80-18-5PXDN-TR伊西斯晶振ECS-2033-143-AU石英晶體振蕩器ECS-60-20-5PX-TR晶振ECS-3953M-240-B-TR伊西斯晶振ECS-200-20-3X-EN-TR高品質(zhì)晶振ECS-2033-320-AU低抖動(dòng)晶振ECS-184-S-5PX-TR石英晶體ECS-3518-143-B-TR伊西斯SMD晶振ECS-184-20-3X-TR美國(guó)進(jìn)口晶振ECX-L32CM-148.3516高頻晶振ECX-P33BN-16.000低抖動(dòng)晶振ECS-3953M-400-AU-TR石英晶體振蕩器ECS-1618-260-BN-TR伊西斯SMD晶振ECS-3525-200-B-TR美國(guó)進(jìn)口晶振ECS-3225S18-160-FN-TR石英晶體振蕩器ECS-120-20-46X無(wú)源晶振ECS-245.7-20-3X-TR低損耗晶振
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