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Fox Quartz Crystal設(shè)計與制作，美國FOX公司是一家超級注重于品質(zhì)的元器件供應(yīng)商，為了好的品質(zhì)不惜一切代價在一個小細節(jié)上面死磕，只為了讓用戶好的體驗，憑借著精湛的工藝，卓越的性能，過硬的品質(zhì)使得其在行業(yè)之中得到無數(shù)的稱贊，隨著不斷增長的需求，福克斯公司意識到新的機會來臨，便利用長期積累的經(jīng)驗，針對新的需求開發(fā)高質(zhì)量低成本的石英晶振，產(chǎn)品具有輕薄小低功耗低損耗的特點，比較適合用于網(wǎng)絡(luò)設(shè)備，智能產(chǎn)品，電子數(shù)碼等領(lǐng)域.

晶體僅在最終應(yīng)用中提供頻率選擇元件。有外部并且需要增益級來實現(xiàn)最終所需的時鐘信號。這個晶體頻率范圍通常被認為小于160MHz。這個頻率以上的晶體需要復(fù)雜的電路設(shè)計，調(diào)諧困難，需要專門的高頻晶體。

需要提供CMOS或BJT增益級，有許多可接受的配置。這個該級的輸入和輸出阻抗會影響電路Q。放大器噪聲水平會影響這兩者相位噪聲和抖動。該級如何在有源增益區(qū)偏置對振蕩器至關(guān)重要啟動。此外，該階段的帶寬會影響啟動特性。如果振蕩器電路為了在泛音上操作晶體，放大器中需要一個頻率選擇裝置電路，以確保電路在所需的晶體泛音處僅具有所需的增益和相移。
振蕩器電路在晶體諧振時產(chǎn)生交流電流。此交流電流或驅(qū)動器液位必須低于臨界值，否則晶體可能會損壞。過大的電流會導(dǎo)致晶體運動超過彈性極限而斷裂。XY切割（音叉）32.768KHz手表晶體必須限制在約5µA或更小，否則晶體的尖端將斷裂。
>1MHz的SMD無源晶體通常是AT切割晶體。這些設(shè)備可以容忍較寬的驅(qū)動器級別范圍在達到毫瓦驅(qū)動水平之前，不會發(fā)生斷裂。增加的老化可能發(fā)生在更高的µW驅(qū)動范圍。過度驅(qū)動晶體會激發(fā)不想要的振動模式。這些可以導(dǎo)致在不同的狹窄溫度范圍內(nèi)出現(xiàn)嚴重的頻率跳躍。
在大多數(shù)情況下，晶體在無功負載下運行。這樣可以調(diào)整最終最終應(yīng)用中的頻率。這通常需要校正頻率變化與水晶的時間。CLOAD值決定了頻率與負載電容的靈敏度。AT切割晶體對于低值可以具有30ppm/pF的靈敏度。使用更高的負載值電容降低了靈敏度，但增加了振蕩啟動的難度。CLOAD溫度特性可以改變振蕩器的頻率對溫度的響應(yīng)。
晶體的頻率響應(yīng)由晶體穿過原子的切口決定石英晶體的平面。這導(dǎo)致了穩(wěn)定且可重復(fù)的溫度響應(yīng)。這個曲線圖顯示了AT切割晶體的不同切割的頻率-溫度響應(yīng)。每個曲線有2分鐘的弧度不同。

每條曲線是通過石英晶體的原子平面的切割的2分鐘弧的變化。

晶體有許多參數(shù)需要指定，以確保接收到符合最終應(yīng)用程序要求。
•頻率
•校準，設(shè)定點為25°C

•CLOAD
•穩(wěn)定性，頻率與25°C溫度的關(guān)系
•工作溫度范圍
•Cl的最大ESR，晶體諧振電阻
•C0范圍，引腳間電容
•LMOTIONAL或CMOTIONAL，設(shè)置晶體的拉出能力
•驅(qū)動級別
•頻率和電阻的驅(qū)動電平依賴性（DLD）
•老化
•絕緣電阻
還有其他規(guī)范，如每°C允許的最大頻率變化，或平滑曲線允許的最大響應(yīng)（擾動控制）。

進貨檢驗或測試需要專用設(shè)備：
•晶體阻抗計（CI計）
•具有特殊測試夾具和軟件的網(wǎng)絡(luò)分析儀
電路板布局對于實現(xiàn)最佳性能至關(guān)重要。以下是一些注意事項：
•導(dǎo)線長度必須盡可能短。
•晶體引線阻抗高，對噪聲非常敏感。
•電容器和晶體封裝的接地節(jié)點不得涉及循環(huán)噪聲源的電流。
•如果引線上的泄漏路徑低于500K歐姆，這可能會影響振蕩器的啟動并且還將使頻率偏移多達幾個ppm。

理解Crystek高性能振蕩器的相位噪聲，一心一意專注于打磨低成本高質(zhì)量產(chǎn)品為主的Crystek公司,憑借著自身才智與實力，源源不斷為行業(yè)貢獻自我的價值，同時也為用戶提供高于其需求的產(chǎn)品，并得到廣大用戶的好評，為了突破自我，Crystek公司開始針對于新的市場需求優(yōu)化與更新自身的產(chǎn)品，也為了能夠讓用戶擁有更加廣泛的選擇空間而作出一番努力，經(jīng)過一段的打磨，便有了突飛猛進的效果。

在幫助理解相位噪聲和抖動的同時高性能振蕩器，本文還考察了振蕩器相位噪聲對系統(tǒng)性能的影響，強調(diào)使用超低相位噪聲的重要性系統(tǒng)中的振蕩器。

對于一個電氣工程師來說，在理想的世界里噪音但什么是噪音？什么是電噪聲？或更多本文的重點是：什么是相位噪聲？作為工程師，我們憑直覺知道系統(tǒng)中的低噪聲比高噪聲好噪音然而，我們必須通常量化這種噪音接受的單位。我們還將檢查相位的差異商品與低成本、高性能晶體振蕩器的噪聲性能。了解成本振蕩器之間的性能權(quán)衡對于系統(tǒng)設(shè)計。很多時候我們看到兩個競爭系統(tǒng)在性能上差別很大，但在價格上沒有。這個振蕩器相位噪聲特性將主導(dǎo)整個系統(tǒng)性能和在振蕩器可以提高系統(tǒng)的性能。
然而工程師可以容易地過度指定振蕩器，因此，關(guān)鍵是要準確理解有源晶體振蕩器相位噪聲（或抖動）限制了系統(tǒng)性能。幫助有了這樣的理解，關(guān)于相位噪聲和抖動的教程就在順序.

振蕩器相位噪聲和抖動在振蕩器中，相位噪聲是指輸出信號的相位分量。這個方程式信號為：

上面，Δφ（）t是相位噪聲，但A0將建立信噪比。圖1說明了這一點。
噪聲信號是隨機的，從廣義上講，噪聲可以被表征為干擾要處理或生成的主信號。它會干擾諸如電壓、電流、相位等的任何物理參數(shù)，頻率（或時間）等。因此，我們的想法是最大化信號并最小化噪聲，以獲得高信噪比SNR.

美國IDT時鐘晶體振蕩器的優(yōu)勢，美國IDT公司是一家小有名氣的頻率元器件供應(yīng)商，主要向市場提供低成本高精度的石英晶振，時鐘振蕩器，有源石英晶振等產(chǎn)品，伴隨著行業(yè)快速發(fā)展，對于IDT公司而言，也迎來極大的挑戰(zhàn)，為了能夠突破目前的困境，實現(xiàn)快速增長，IDT公司結(jié)合目前的市場需求，憑借著自身獨特的創(chuàng)新能力，專注于打磨品質(zhì)優(yōu)良，性能出色的產(chǎn)品，產(chǎn)品一經(jīng)推出便得到市場極佳的反響，并為IDT公司未來發(fā)展打下基石。

每位產(chǎn)品設(shè)計師每天都必須處理電磁兼容性(EMC)或電磁干擾(EMI)問題，尤其是在使用石英振蕩器等頻率確定元件時。安裝在石英晶體振蕩器中的ic會產(chǎn)生陡峭、邊緣銳利的側(cè)翼，并產(chǎn)生強烈的諧波泛音。擴頻振蕩器是解決這一問題的一種方法，但在許多應(yīng)用中無法使用。例如，在中心擴展為0.5%的情況下，輸出頻率在f在外0.5%.給定33.333或66.666MHz的頻率，0.5%的頻率調(diào)制意味著頻率調(diào)制范圍為33.333 MHz±166.665kHz或66.666MHz±333.330kHz，這對精確計時來說太大了。這些應(yīng)用通常只允許50 ppm，或者說低100倍。50ppm的頻率穩(wěn)定性相當(dāng)于33.333MHz時的容差為1.66665kHz，或66.666 MHz時的容差為3.3333kHz。在這種情況下，開發(fā)商迄今為止不得不采取非常昂貴的措施來降低EMC–EMI。這已經(jīng)沒有必要了。Landsberg am Lech的Petermann-Technik基于創(chuàng)新的IC技術(shù)——下一代時鐘——提供高度多樣化的SMD硅時鐘振蕩器，具有軟電平輸出信號。軟電平技術(shù)是一種可編程輸出信號，通過延長上升時間(t)可以顯著降低LVCMOS輸出信號的諧波含量升高)和下降時間(t秋天).軟電平技術(shù)允許根據(jù)客戶要求精確調(diào)整輸出信號。

軟級別功能的作用
圖1顯示了LVCMOS輸出信號的周期t和t升高和t秋天20 %到80 %之間。圖2顯示了正常LVCMOS方波信號(紅線)與+3.3V電源電壓下的軟電平LVCMOS輸出信號(藍線)的邊沿輪廓直流電。該圖清楚地顯示了SoftLevel函數(shù)如何使方波的邊緣變圓(產(chǎn)生類似鯊魚鰭的形狀),從而顯著降低諧波泛音。圖3顯示了EMC–EMI衰減(奇次諧波)與輸出信號周期t的關(guān)系。t升高和t秋天與時鐘信號的周期t成比例。美國IDT時鐘晶體振蕩器的優(yōu)勢.

康納溫菲爾德石英晶體振蕩器介紹，優(yōu)秀的Connor-winfield晶振公司憑借其50多年的歷史以及豐富的生產(chǎn)經(jīng)驗和技術(shù)服務(wù)，不斷的更新創(chuàng)造更具有價值的頻率控制產(chǎn)品。并通過自身的不懈的努力，打磨優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品，產(chǎn)品具有高精度，高頻率，高性能，小體積，高溫度，低抖動等特點，產(chǎn)品包含溫補晶振，壓控晶振，石英晶體振蕩器等產(chǎn)品。盡管引及了競爭性諧振器技術(shù)，但與目前可用的任何其它頻率控制技術(shù)相比，基于石英的振蕩器在長期和短期穩(wěn)定性精度以及低抖動和低相位噪聲信號生成方面繼續(xù)提供最高水平的性能。

大多數(shù)IC帶有內(nèi)置有源晶體振蕩器電路采用Gated-Pierce設(shè)計，其中振蕩器是圍繞單個CMOS反相門構(gòu)建的。對于振蕩器的應(yīng)用這通常是一個單一的反相包括一個P通道和一個N通道的級增強型MOSFET，更常見在數(shù)字世界中，作為一個無緩沖逆變器（見圖。1） 。可以使用緩沖逆變器（通常包括三個串聯(lián)的P-N MOSFET對），但是數(shù)千的相關(guān)收益將導(dǎo)致可能不太穩(wěn)定的成品振蕩器。

一個實用的振蕩器電路如圖2所示包括所述未緩沖反相器、兩個電容器，兩個電阻器和石英晶體。了解如何該振蕩器工作CMOS反相門必須被視為具有增益、相位和傳播延遲約束，而不是作為邏輯設(shè)備使用1和0。康納溫菲爾德石英晶體振蕩器介紹

圖3顯示了直流傳輸特性（Vin與。Vout）和未緩沖的DC偏置點線HCMOS逆變器74HCU04。在3.3V和1M? 對于Rf，逆變器將與其輸入和輸出一起放置電壓約為1.65V。這種逆變器現(xiàn)在被認為是在其線性區(qū)域中被偏置。輸入的微小變化電壓將被增益放大，并顯示為輸出電壓的變化較大。

圖4顯示了一組典型的開環(huán)增益曲線相同的74HCU04。在3.3V時，逆變器的增益為20（26 dBV）從DC到2MHz，具有3dB衰減頻率為8.5MHz，并且看起來仍然具有增益超過100MHz。
為了將這種偏置反相門用作振蕩器，它必須具有足夠的增益克服了反饋網(wǎng)絡(luò)的損耗（圖中的C1、C2、Rlim和石英晶體。2） ，振蕩頻率下的負電阻足以超過晶體等效串聯(lián)電阻，以及整個電路周圍的相移360度。人們很容易想到這種74HCU04逆變器可以用來制造工作頻率超過100MHz的振蕩器，因為它在3.3V時有足夠的增益，但實際上由于各種振蕩器環(huán)路周圍的相移。
該電路的分析很難概括，因為它非常依賴于家族所使用的CMOS門以及該特定CMOS家族的內(nèi)部構(gòu)造。全部的CMOS反相門具有輸入電容、輸出電容和輸出“電阻”和傳播延遲，所有這些都會影響C1、C2和Rlim的選擇如圖2所示，并最終確定OSC晶振的較高工作頻率。選擇偏置電阻器Rf通常在1M之間? 和10M?, 降低一個值將有效出現(xiàn)在水晶上，并可能導(dǎo)致水晶在雜散或泛音頻率。康納溫菲爾德石英晶體振蕩器介紹.
考慮一個ESR為15的20MHz晶體?, 3pF的C0，需要負載電容為20pF，晶體功耗約為100µW。

從20pF的期望負載電容開始，這可以近似為C1+柵極輸入電容（1至5pF是典型值）與C2串聯(lián)。C1的比率至C2將影響增益和晶體功率耗散。一個好的起點是C1≈C2。為了增加環(huán)路增益（并降低晶體功耗），使C1＜C2。這對于負載電容為20pF，柵極具有~3pF的輸入電容。

瑞斯克石英晶體振蕩器說明書，隨著電子行業(yè)的產(chǎn)品越來越多元化，為了更好順應(yīng)市場的變化，Crystek公司利用自身的優(yōu)勢，針對目前振動器產(chǎn)品進行深入研究與探索說明，并研發(fā)設(shè)計出極具有價值的石英晶體振蕩器，并因此吸引了廣泛用戶的關(guān)注，產(chǎn)品融合的高質(zhì)量低抖動低電壓的特點，可以滿足不同應(yīng)用程序的需求，同時也優(yōu)化相噪聲，又獲得極好的用戶體驗。

圖1中的皮爾斯門振蕩器得到了大多數(shù)設(shè)計師的認可，但很少有人了解如何正確指定晶體。拓撲結(jié)構(gòu)中使用的晶體圖1可以是基本的AT-CUT或BT-CUT。BT-CUT晶體質(zhì)量差與AT-CUT相比，頻率隨溫度的穩(wěn)定性。此拓撲使用平行晶體而不是串聯(lián)晶體。當(dāng)指定平行晶體時，晶體制造商還將要求您指定負載電容。

要了解負載電容，請考慮串聯(lián)LC電路，其中晶體是L，負載電容是C。諧振LC電路的頻率將作為L和C的函數(shù)而變化在晶體情況下，L是固定的（溫度不是參數(shù)）。瑞斯克石英晶體振蕩器說明書.

晶體數(shù)據(jù)表上的參數(shù)由負載電容是25°C時中心頻率的公差或校準。如果有源晶體振蕩器電路設(shè)計不匹配負載電容值，則中心頻率將不在數(shù)據(jù)表的公差限制。有趣的是并聯(lián)晶體要求其電容負載有效串聯(lián)其端子。
那么，您的皮爾斯門振蕩器向結(jié)晶如圖2所示的一個簡單計算將告訴您。

圖2中大多數(shù)設(shè)計師忽略的最重要的事實是反相器門的內(nèi)部輸入和輸出電容。這些與外部（C1和C2）相比在值上是顯著的。如果Cin和Cout沒有指定，那么每個5 pF的猜測值是好的開始以后可以通過改變啟動來優(yōu)化電路C1和C2的值。所以，不要放棄你的主要寬容；計算您的振蕩器電容負載。

既然你知道了如何計算負載電容電路呈現(xiàn)給水晶，您應(yīng)該選擇什么負載電容？在回答這個問題之前，你需要知道晶體中心頻率對負載的靈敏度電容。這被稱為微調(diào)靈敏度S，由下式給出：

其中Cm是晶體的運動電容，
Co是晶體的分流電容，
Cload是負載電容。
從修剪靈敏度方程中，你可以看到，你制作的Cload越小，就越大微調(diào)靈敏度。換句話說，如果你正在設(shè)計一個固定頻率的時鐘，那么你選擇一個高的Cload值，比如20 pF。但是，如果你正在設(shè)計一個可變頻率振蕩器（VCXO）選擇諸如14pF的低Cload值。瑞斯克石英晶體振蕩器說明書.

ECS Inc. International’s ECS-TXO53-S3 is a new series of surface mount stratum 3 temperature compensated crystal oscillators. This family of TCXOs comes in a 5.0 mm 3.2 mm x 1.80 mm multi-pad ceramic package that offers a frequency stability of ±280ppb over the standard industrial operating temperature range of -40ºC to +85ºC. With the HCMOS output, multi-pad configurations and standard frequencies between 10 MHz and 52 MHz, the ECS-TXO53-S3 provides excellent phase noise performance. Ideal for femtocell, nanocell and instrumentation applications. 

完美適合納米細胞的溫補晶體振蕩器ECS-TXO53-S3-33-500-BN-TR，ECS晶振國際公司的ECS-TXO53-S3是一種新型表面貼裝三層溫補晶體振蕩器系列。該系列tcxo采用5.0 mm 3.2 mm x 1.80 mm多襯墊陶瓷封裝，在-40ºC至+85ºC的標準工業(yè)工作溫度范圍內(nèi)提供±280ppb的頻率穩(wěn)定性。憑借HCMOS輸出，多襯墊配置和10 MHz至52 MHz之間的標準頻率，ECS-TXO53-S3提供了出色的相位噪聲性能。理想的家庭電池，納米電池和儀器應(yīng)用。

小尺寸的ECS無源晶體支持時序解決方案ECS-200-20-5PXDN-TR，更高的等效串聯(lián)電阻 (ESR) 是工程師在使用更小的無源晶振晶體時會看到的其他東西。ESR是內(nèi)部電阻，代表電子電路中的能量損失。幾乎每個電路都會有不同程度的某種 ESR。

ESR的水平取決于許多因素，例如特定的結(jié)構(gòu)、材料、質(zhì)量等。ESR可以在從幾毫歐到幾歐（或 1,000 毫歐）的任何地方測量。如果ESR太高，您可能會看到不同的結(jié)果，例如晶振功率損耗、效率低下和電路不穩(wěn)定。

汽車遙控器應(yīng)用晶振FA-238V愛普生無源晶振編碼Q22FA23V0014900

出眾的工業(yè)設(shè)計有助于提高產(chǎn)品的辨識度,從眾多競爭對手中脫穎而出,美國蘋果公司就是工業(yè)設(shè)計典型的成功案例.生產(chǎn)橡膠按鈕制品發(fā)展至今客戶已經(jīng)遍及全球,其50%以上的產(chǎn)品遠銷海外.盡管遭遇金融風(fēng)暴但獲利狀況反而逆勢增長,究其原因在于惡劣的經(jīng)濟環(huán)境是考驗企業(yè)生存力的試金石,一些運營狀況不佳的企業(yè)挺不過危機被淘汰,從而形成新的市場格局,而堅持到最后的企業(yè)可能取得更多的市場份額.

 FA-238V愛普生無源晶振編碼Q22FA23V0014900,汽車遙控器應(yīng)用晶振

蘋果手機A16芯片晶體管性能提升多少SG3225VAN愛普生LVDS差分晶振X1G004241015600

蘋果在發(fā)布會上說,A16Bionic著力于3個部分,分別是能效powerefficiency、顯示display和攝像頭camera.拋開后兩個不談,只說能效而不說性能,或許說明了A16單純在性能上的提升并不大-我們此前說A15以及相同CPU微架構(gòu)的M2的CPU性能提升就不算特別大.這是否表明了蘋果這兩年在芯片設(shè)計上遇到了瓶頸?當(dāng)然能效上的打磨價值也非常大,這也一直是蘋果的優(yōu)勢.前不久還談過今年更早的那批所謂的4nm芯片大概率都是假4nm,而A16極有可能才是真4nm,是不是應(yīng)該有點滿意?SG3225VAN愛普生晶振X1G004241015600,蘋果手機A16芯片晶體

客戶是我們的焦點我們通過超越客戶對VCXO振蕩器產(chǎn)品、服務(wù)和態(tài)度的期望，建立成功的客戶合作關(guān)系，同時確保我們的知識當(dāng)我們交換信息和共享知識時，財產(chǎn)是受保護的。我們從了解客戶的需求開始，以贏得我們的信譽生產(chǎn)高質(zhì)量的產(chǎn)品，提供全面的整體系統(tǒng)解決方案，并履行承諾。我們相信每個員工都必須有效為內(nèi)部客戶提供服務(wù)，以使Microchip的外部客戶得到適當(dāng)?shù)姆?wù)。