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TX0456A石英晶體振蕩器TX0203AVCTCXO晶振TX0397A有源晶振TX0329A壓控溫補(bǔ)晶體振蕩器TX0580A石英晶振TX0174A石英晶體振蕩器TX0311AVCTCXO晶振TX0148A臺(tái)產(chǎn)晶振TX0108A壓控溫補(bǔ)晶體振蕩器TX0579A石英晶振TX0338A嘉碩晶振TX0131AVCTCXO晶振TX0298A臺(tái)產(chǎn)晶振TX0308ATST晶振TX0187A石英晶振TX0218A嘉碩晶振TX0438A有源晶振TX0192A臺(tái)產(chǎn)晶振

在穩(wěn)定性,可靠性,穩(wěn)健性以及低相位噪聲和抖動(dòng)方面具有優(yōu)勢(shì),微機(jī)電系統(tǒng)MEMS晶振正在進(jìn)軍汽車和電信等應(yīng)用領(lǐng)域,這些應(yīng)用需要提高定時(shí)性能和高性能可承受極端環(huán)境條件的可靠性部件.其中一個(gè)例子是MicrochipTechnologyInc.的DSA系列,該系列于今年早些時(shí)候首次亮相,是業(yè)界首款汽車級(jí)多輸出MEMS振蕩器."技術(shù)進(jìn)步和現(xiàn)代車輛中復(fù)雜電子系統(tǒng)的日益普及需要卓越的時(shí)序性能和可靠性,"Microchip表示."對(duì)于確保在當(dāng)今高度先進(jìn)的汽車系統(tǒng)中精確操作,時(shí)序精度,精度和對(duì)惡劣環(huán)境的耐受性至關(guān)重要."

在高性能市場(chǎng)中,頻率控制制造商也在改進(jìn)其恒溫晶體振蕩器(OCXO),壓控晶體振蕩器(VCXO)和溫度補(bǔ)償晶體振蕩器(TCXO)的產(chǎn)品陣容.極端的環(huán)境條件.為了滿足這些要求,SiliconLabs的產(chǎn)品組合現(xiàn)在包括提供頻率靈活性和低抖動(dòng)的Si539x時(shí)鐘以及Si56XUltra系列石英晶體振蕩器(XO)和VCXO.EcliptekLLC還提供卓越的RMS相位抖動(dòng)和相位噪聲性能,提供多電壓石英晶體振蕩器,占地面積小,尺寸為2.5×3.2mm(帶有四個(gè)焊盤).該器件的穩(wěn)定性低至±20ppm,工作溫度范圍為-40°C至85°C.

溫補(bǔ)晶體振蕩器(TCXO)在各種應(yīng)用中用作穩(wěn)定的頻率參考或時(shí)鐘.它們現(xiàn)在提供非常小的SMD封裝.由于高拉伸性,最好的溫度補(bǔ)償只能通過基波中的振蕩晶體來實(shí)現(xiàn).因此,對(duì)于大部分穩(wěn)定的TCXO,頻率范圍限制在最大約50至70MHz.然而,許多應(yīng)用需要明顯更高的頻率,因此在應(yīng)用中需要倍頻.這需要額外的空間并導(dǎo)致不期望的干擾頻譜.這里現(xiàn)在設(shè)置新的TCXO類型AXLE113HF和AXLE145HF公司AXTAL到11毫米×小SMD晶振封裝在9毫米和14毫米×9毫米穩(wěn)定的輸出頻率高達(dá)200MHz的標(biāo)準(zhǔn)尺寸提供.這兩種型號(hào)的噪聲非常低,并且具有幾個(gè)飛秒的非常低的相位抖動(dòng).

雖然半導(dǎo)體數(shù)據(jù)表提供了在實(shí)驗(yàn)室環(huán)境中測(cè)量的規(guī)格,但了解設(shè)備在現(xiàn)實(shí)世界中的運(yùn)行方式非常重要.這對(duì)于汽車振蕩器來說更為重要,因?yàn)榧词乖贏EC-Q100/200認(rèn)證下,一些關(guān)鍵規(guī)格也會(huì)受到環(huán)境壓力因素的不利影響,而這些壓力因素并不總是經(jīng)過測(cè)試.自動(dòng)駕駛汽車市場(chǎng)繼續(xù)升溫,主要汽車制造商等在自動(dòng)駕駛汽車技術(shù)方面進(jìn)行了大量投資.隨著關(guān)于自動(dòng)駕駛車輛何時(shí)成為主流的爭(zhēng)論仍在繼續(xù),有一點(diǎn)是肯定的-必須充分實(shí)現(xiàn)自主車輛安全.一個(gè)經(jīng)常被忽視的方面是與時(shí)序解決方案相關(guān)的挑戰(zhàn).

高利奇晶振公司專業(yè)和高效的方法使之成為世界上許多領(lǐng)先的電子oem和CEMs的首選供應(yīng)商.專用IT人員確保操作得到最高質(zhì)量和安全系統(tǒng)的支持.高利奇是英國(guó)增長(zhǎng)最快的壓電石英晶振元器件,壓電石英晶體,有源晶體頻率產(chǎn)品供應(yīng)商.我們?cè)诟?jìng)爭(zhēng)市場(chǎng)上的持續(xù)成功是對(duì)我們產(chǎn)品質(zhì)量和卓越服務(wù)的敬意.電子和技術(shù)相關(guān)產(chǎn)業(yè)正在迅速發(fā)展.在技術(shù)進(jìn)步和商業(yè)世界的發(fā)展中,高利奇有足夠的資源和靈活性來支持客戶的需求.

恒溫晶體振蕩器(OCXO)市場(chǎng)報(bào)告根據(jù)烤箱控制晶體振蕩器(OCXO)行業(yè)中的領(lǐng)先部分(如類型,地區(qū),應(yīng)用,技術(shù)和精英參與者),包含重要的銷售和收入統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù).該報(bào)告針對(duì)歷史(2014-2019年)事件,關(guān)于行業(yè)現(xiàn)狀的討論,并提供截至2024年的有價(jià)值的預(yù)測(cè)信息.全面分析當(dāng)代趨勢(shì),需求譜,增長(zhǎng)率和關(guān)鍵區(qū)域烤箱控制晶體振蕩器(OCXO)的市場(chǎng)探索也體現(xiàn)在本報(bào)告中.領(lǐng)先的主要晶振有-NDK晶振,Epson晶振,Vectron晶振,Microcrystal晶振,Rakon晶振,BlileyTechnologies晶振,KDS晶振,Taitien晶振,CTS晶振,GreenrayIndustries晶振,NEL晶振,IDT晶振,Abracon晶振,KVG晶振.

OV-7604-C7-32.768k-20PPM-TB-QA瑞士微晶晶振CM7V-T1A-32.768kHz-12.5pF-10PPM-TB-QC32.768KCC5V-T1A-32.768kHz-7pF-20PPM-TB-QCMicrocrystalCM8V-T1A-32.768k-12.5pF-20PPM-TB-QAMicrocrystalCM7V-T1A-32.768kHz-9pF-10PPM-TB-QC石英晶振CM7V-T1A-32.768kHz-12.5pF-20PPM-TB-QC瑞士石英晶振CM8V-T1A-32.768k-9pF-20PPM-TB-QA瑞士石英晶振CM7V-T1A-Low-ESR-32.768k-7pF-10-TB-QA瑞士Microcrystal晶振CM7V-T1A-32.768kHz-7pF-20PPM-TB-QC無源時(shí)鐘晶振CM7V-T1A-32.768k-7pF-100PPM-TB-QA無源時(shí)鐘晶振CM7V-T1A-32.768kHz-12.5pF-100PPM-TB-QCMicrocrystalOV-7604-C7-32.768kHz-20PPM-TB-QC進(jìn)口32.768K

美國(guó)伊利諾斯州萊爾市-CTS公司宣布推出兩款新型時(shí)鐘振蕩器系列,專為需要寬工作溫度范圍的汽車,工業(yè)和商業(yè)軍事/航空航天應(yīng)用而設(shè)計(jì).CA系列設(shè)備采用TS16949認(rèn)證生產(chǎn)線生產(chǎn),符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn),符合PPAP標(biāo)準(zhǔn),可在-40°C至+125°C的標(biāo)準(zhǔn)汽車溫度范圍內(nèi)運(yùn)行.CHT系列產(chǎn)品與CA系列具有相同的設(shè)計(jì)矩陣,適用于工業(yè)和商業(yè)軍事/航空航天應(yīng)用,工作溫度范圍要求為-55°C至+125°C.新產(chǎn)品系列提供一系列緊湊型密封陶瓷SMD晶振封裝尺寸.系列中的每個(gè)型號(hào)都提供CMOS輸出,15pf負(fù)載驅(qū)動(dòng)能力,典型的5ns上升和下降時(shí)間以及標(biāo)準(zhǔn)引腳1輸出啟用/禁用功能.頻率穩(wěn)定性在-40°C/+85°C范圍內(nèi)低至±25ppm,對(duì)于CA系列在-55°C/+105°C時(shí)為±100ppm,對(duì)于-55°C/+125°C時(shí)為±100ppmCHT系列.

IDT晶振的許多產(chǎn)品旨在為目標(biāo)市場(chǎng)中的半導(dǎo)體合作伙伴提供獨(dú)特的補(bǔ)充,所有IDT產(chǎn)品旨在幫助客戶和合作伙伴實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)成功.此系列傳單代表IDT參考設(shè)計(jì)解決方案,與各種合作伙伴以及IDT業(yè)界領(lǐng)先的互補(bǔ)芯片一起,適用于您在以下所示應(yīng)用領(lǐng)域的設(shè)計(jì).該公司成立于1980年,迄今為止提供了大量的優(yōu)秀的石英晶振,石英晶體振蕩器,差分晶振等頻率元件供市場(chǎng)使用,該篇文章龍湖電子將介紹關(guān)于IDT時(shí)鐘振蕩器解決方案的基于.

在Golledge,不同行業(yè)的設(shè)計(jì)可能會(huì)給您帶來不同的挑戰(zhàn),專業(yè)行業(yè)的頻率產(chǎn)品需求,以及為每個(gè)行業(yè)特別推薦的頻率產(chǎn)品的集合,自1990年成立以來,Golledge晶振取得了前所未有的成功,經(jīng)過多年的不斷發(fā)展,現(xiàn)在是英國(guó)頗有名氣的頻率控制產(chǎn)品供應(yīng)商,通過堅(jiān)持客戶的要求并始終致力于滿足并超越客戶的要求，實(shí)現(xiàn)了這一增長(zhǎng).下面要介紹的則是工業(yè)領(lǐng)域中適用于惡劣環(huán)境的晶振.Golledge提供一系列通孔和SMD高可靠性石英晶體諧振器和振蕩器,專為極端惡劣的環(huán)境而設(shè)計(jì),

盡管晶體裝置已經(jīng)使用了至少十年,早些時(shí)候,石英晶振工業(yè)的開始-,在美國(guó)的嘗試從邏輯上可以追溯到1941年11月,當(dāng)石英晶體部門在,首席信號(hào)干事辦公室.,這個(gè)行業(yè)的歷史可以追溯到,壓電現(xiàn)象的發(fā)現(xiàn)起源于,居里兄弟1880-81年至今.社會(huì)重點(diǎn)放在以下問題上,在創(chuàng)建能夠滿足軍隊(duì)需求的行業(yè)上限時(shí)遇到并克服,第十一次世界大戰(zhàn)期間的美國(guó)及其盟國(guó),大型acd小型企業(yè),政府機(jī)構(gòu),武裝部隊(duì),大學(xué)和公民個(gè)人之間的合作記錄激勵(lì)人們相信,最關(guān)鍵的問題,通過合作,奉獻(xiàn)和努力.與這些小玻璃的尺寸成比例像石英晶片一樣,也許是科學(xué)的所有工具中最容易記住的.當(dāng)無線電研究和制造幾乎令人難以置信的進(jìn)展的故事宣告-塔爾斯可以被告知,這將被證明是一個(gè)故事最偉大的成就之一.同樣重要的是這些進(jìn)步的成果-走向一個(gè)和平的新世界將是大多數(shù)電信設(shè)備振動(dòng)的心臟.杰拉爾德•詹姆斯•霍爾頓,馬薩諸塞州劍橋哈佛大學(xué).

    晶振作為廣泛使用在電子產(chǎn)品領(lǐng)域的普遍電子元件,對(duì)質(zhì)量的要求是比較高的,一旦在質(zhì)量方面出了問題,直接導(dǎo)致一整個(gè)產(chǎn)品的不良,可見一個(gè)產(chǎn)品的質(zhì)量是有多重要.而該篇文章龍湖電子主要是介紹美國(guó)頗有名氣的Q-Tech公司是通過什么方法如何確保了產(chǎn)品的質(zhì)量保證,做到以質(zhì)量贏得市場(chǎng).Q-Tech Crystal在美國(guó)加利福尼亞州卡爾弗城的35,000平方英尺的工廠內(nèi)運(yùn)營(yíng),通過了AS9100和ISO 9001質(zhì)量管理體系認(rèn)證.公司在北美,歐洲和亞洲均設(shè)有銷售部門,業(yè)務(wù)遍及各地.

   X2GGGLNANF-12.000000晶振X3AEELNANF-40.000000臺(tái)灣泰藝晶振X3AEEJNANF-38.400000泰藝晶體諧振器XZDCELNANF-27.120000石英晶體XIHEELAANF-16.000000泰藝晶振XZABPCNANF-40.000000泰藝晶體諧振器XXDCCCNANF-12.000000晶振TXETACSANF-26.000000泰藝晶振OCETGLJTNF-100.000000貼片晶振XSDEELAANF-12.000000泰藝晶振XYHEECNANF-30.000000臺(tái)灣泰藝晶振X3AEELNANF-26.000000進(jìn)口貼片晶振OXETDLJANF-10.000000臺(tái)灣OSC晶振TYKTBLSANF-19.200000石英晶體振蕩器XIHEELAANF-8.000000泰藝晶振XXGEGLNANF-25.000000貼片晶振TYETCCSANF-50.000000有源晶振OYETGHJANF-66.667000泰藝晶振XJDECCAANF-4.194304泰藝晶振XSHGGLNANF-12.000000貼片晶振XSCEECNANF-8.000000石英晶振XYLEEJNANF-27.120000無源晶體X3AEELNANF-27.000000臺(tái)灣TAITIEN晶振OCETGLJTNF-133.000000有源晶振X2HCCCNANF-12.000000泰藝晶振XSHGGLNANF-16.000000石英晶振XSCEGCNANF-10.000000臺(tái)灣泰藝晶振XYABBCNANF-24.576000泰藝晶體諧振器X3AEELNANF-27.120000晶振XXDGHHPANF-20.000000臺(tái)灣泰藝晶振VTEUMLJANF-25.000000臺(tái)灣OSC晶振OYEUDCJANF-49.152000石英晶體振蕩器XXCBELNANF-12.000000泰藝晶振XSHGGLNANF-24.000000臺(tái)灣泰藝晶振XSCGGCNANF-24.576000無源晶體OXETDLJANF-50.000000有源晶振OXJTGLKTNF-125.000000泰藝晶振XIHEELAANF-4.000000泰藝晶振XXCGGINANF-18.432000無源晶體TYETACSANF-16.367667石英晶振OYEUDCJANF-45.158400臺(tái)灣OSC晶振XIHEELAANF-11.059200泰藝晶振XZABBCNANF-26.000000無源晶體XSDEECNANF-25.000000泰藝晶體諧振器XYAEECNANF-27.000000臺(tái)灣TAITIEN晶振X3AEELNANF-38.400000石英晶振XXGGGINANF-25.000000石英晶振TYETBCSANF-20.000000石英晶體振蕩器XIHEELAANF-25.000000泰藝晶振

   XZAPPCNANF-16.000000進(jìn)口貼片晶振XXBBBCNANF-16.000000泰藝晶體諧振器TYKTACSANF-26.000000貼片晶振OXETGCJTNF-125.000000石英晶振XSDEELNANF-12.000000進(jìn)口貼片晶振XXHCCLNANF-25.000000進(jìn)口貼片晶振OXETDLJANF-20.000000泰藝晶振OXETDLJTNF-100.000000貼片晶振XSDEELNANF-13.560000臺(tái)灣TAITIEN晶振XXCCCCNANF-12.000000貼片晶振X3AEELNANF-48.000000無源晶體XZBBBCNANF-26.000000臺(tái)灣TAITIEN晶振XSDEELNANF-25.000000晶振XXCGGLNANF-12.000000石英晶振XYIGGLNANF-16.000000泰藝晶體諧振器XXGPPLNANF-20.000000晶振OXETGLJANF-50.000000石英晶體振蕩器OTETGCLTNF-156.250000有源晶振XIHEELAANF-7.372800泰藝晶振XZBBCCNANF-26.000000晶振XSDEGCNANF-16.000000貼片晶振XXGDDCNANF-25.000000臺(tái)灣泰藝晶振XYCBBCNANF-16.000000進(jìn)口貼片晶振XXEBCLNANF-40.000000貼片晶振XZBCCCNANF-16.000000貼片晶振XSFGGLNANF-20.000000石英晶振XXGEHHNANF-24.000000無源晶體XYCBBCNANF-26.000000臺(tái)灣TAITIEN晶振X3AEEJNANF-27.000000石英晶振OYETGCJANF-24.000000石英晶振TYKACCSANF-26.000000臺(tái)灣OSC晶振OXKTGLJANF-19.200000有源晶振XZCBBCNANF-16.000000石英晶振XSGEECNANF-16.000000臺(tái)灣泰藝晶振XXHEELNANF-12.000000泰藝石英晶體諧振器XYCCCCNANF-19.200000晶振XYAEECNANF-26.000000進(jìn)口貼片晶振X3AEELNANF-30.000000貼片晶振X3AEEJNANF-27.120000臺(tái)灣泰藝晶振OYETGCJANF-25.000000貼片晶振TYKACCSANF-40.000000石英晶振OCETDLJANF-25.000000石英晶體振蕩器XZCBBCNANF-32.000000臺(tái)灣泰藝晶振XSGEELNANF-25.000000無源晶體XXPEELNANF-16.000000進(jìn)口貼片晶振XYCEECNANF-27.120000貼片晶振X3AEEJNANF-30.000000無源晶體OYETGCJANF-27.000000晶振TXEAACSANF-40.000000貼片晶振OCETGLJTNF-125.000000臺(tái)灣OSC晶振XZCEECNANF-27.120000無源晶體XSGEGLNANF-13.000000泰藝晶體諧振器XZGEECNANF-24.000000臺(tái)灣TAITIEN晶振XYCEECNANF-32.000000石英晶振XZCEECAANF-27.120000石英晶體XZLEFLNANF-30.000000臺(tái)灣TAITIEN晶振XXBBBCNANF-26.000000臺(tái)灣TAITIEN晶振OCETGLJTNF-106.250000石英晶振XZDBPCNANF-16.000000泰藝晶體諧振器XSHEECNANF-25.000000進(jìn)口貼片晶振XZHBBCNANF-32.000000晶振XZDCELNANF-30.000000石英晶體XXHCECAANF-26.690000石英晶體XZIEELNANF-16.000000進(jìn)口貼片晶振XSHEELNANF-25.000000臺(tái)灣TAITIEN晶振XSHGGLNANF-11.059200晶振XZLCCCNANF-30.000000貼片晶振

       ECX-P33BN-16.384高精密晶振ECS-2018-080-BN低抖動(dòng)晶振ECS-1633-192-BN-TR美國(guó)伊西斯晶振ECS-3525-320-B-TR伊西斯晶振ECS-3225S18-200-FN-TR有源晶振ECS-.327-12.5-39-TR伊西斯晶振ECS-250-20-3X-TR晶振ECX-P33BN-24.576低抖動(dòng)晶振ECS-2018-240-BN有源石英晶振ECS-3518-240-B-TR高精密晶振ECS-VXO-73-27.00-TR晶體振蕩器ECS-3953M-500-BN-TR石英晶振ECS-240-16-5PX-TR無源晶振ECS-3X8耐高溫晶振ECS-120-20-3X-TR石英晶體ECX-P33BN-25.000高精密晶振ECS-3525-1000-B-TR伊西斯SMD晶振ECS-3518-400-B-TR有源石英晶振ECS-2033-160-BN大體積晶振ECS-3953M-040-BN-TR貼片晶振ECS-92.1-S-5PX-TR伊西斯晶振ECS-40-18-5PXEN-TR低損耗晶振ECS-160-20-3X-TR無源晶振ECS-2033-240-BN大體積晶振ECS-3953M-018-BN-TR進(jìn)口晶體振蕩器ECS-73-S-5PX-TR石英晶振ECS-76.8-18-5PXEN-TR高品質(zhì)晶振ECS-143-20-3X-TR伊西斯晶振ECX-P33BN-27.000石英貼片晶振ECS-3525-1250-B-TR有源晶振ECS-3951M-160-BN-TR美國(guó)伊西斯晶振ECS-1618-120-BN-TR小體積貼片晶振ECS-3953M-200-BN-TR石英晶體振蕩器ECS-3225S25-240-FN-TR貼片晶振ECS-98.3-18-5PXEN-TR晶振ECS-147.4-20-3X-TR石英晶振ECX-L32CM-14.7456石英貼片晶振ECS-3963-1000-AU-TR石英晶體振蕩器ECS-3953M-080-AU-TR有源晶振ECS-1618-192-BN-TR有源石英晶振ECS-3953M-480-AU-TR有源晶振ECS-3225S25-250-FN-TR進(jìn)口晶體振蕩器ECS-42-18-5PXEN-TR石英晶體ECX-P33BN-250.000石英貼片晶振ECS-3963-1000-BN-TR美國(guó)伊西斯晶振ECX-L32CM-150.000高頻晶振ECX-P33BN-18.432有源石英晶振ECS-2018-147.4-BN高精密晶振ECS-1633-240-BN-TR有源晶振ECS-3525-400-B-TR石英晶振ECS-3225S18-240-FN-TR美國(guó)進(jìn)口晶振ECS-240-10-37Q-ES-TR石英晶振ECS-286.3-20-3X-EN-TR高品質(zhì)晶振ECX-L32CM-155.520高頻晶振ECX-P33BN-20.000伊西斯SMD晶振ECS-2018-160-BN有源石英晶振ECS-1633-260-BN-TR石英晶體振蕩器ECS-3525-480-B-TR貼片晶振ECS-3225S18-270-FN-TR伊西斯晶振ECS-250-10-37Q-ES-TR美國(guó)進(jìn)口晶振ECS-300-20-3X-EN-TR晶振ECX-L32CM-156.250高頻晶振

      ECX-P33BN-200.000美國(guó)伊西斯晶振ECS-TXO-5032-120-TR伊西斯SMD晶振ECS-1618-480-BN-TR低抖動(dòng)晶振ECS-3525-600-B-TR進(jìn)口晶體振蕩器ECS-3225S18-320-FN-TR石英晶振ECS-260-10-37Q-ES-TR耐高溫晶振ECS-240-20-5PX-TR石英晶體ECX-L32CM-16.000有源晶振ECX-P33BN-212.500有源晶振ECS-TXO-5032-160-TR美國(guó)ECS晶振ECS-3963-480-AU-TR高精密晶振ECS-3518-040-B-TR石英晶體振蕩器ECS-3225S18-400-FN-TR貼片晶振ECS-.327-12.5-34QCS-TR低損耗晶振ECS-60-32-5PX-TR無源晶振ECX-L32CM-16.384有源晶振ECS-200-20-3X-TR耐高溫晶振ECX-L32CM-148.500高頻晶振ECX-P33BN-24.000石英晶體振蕩器ECS-TXO-3225-100-TR有源晶振ECS-2033-040-AU有源石英晶振ECS-3518-080-B-TR有源晶振ECS-3953M-480-B-TR進(jìn)口晶體振蕩器ECS-42-12-5PX-TR高品質(zhì)晶振ECS-73-20-5PX-TR伊西斯晶振ECX-L32CM-18.432有源晶振ECS-3X8X石英晶振ECS-TXO-3225-200-TR石英晶體振蕩器ECS-3961-240-AU-TR伊西斯SMD晶振ECS-3953M-800-B-TR晶體振蕩器ECS-3953M-250-B-TR石英晶體振蕩器ECS-122.8-20-5PX-TR晶振ECS-92.1-20-5PX-TR石英晶振ECX-L32CM-20.000有源晶振ECS-.327-12.5-13美國(guó)進(jìn)口晶振ECS-2018-300-BN低抖動(dòng)晶振ECS-2033-240-AU美國(guó)伊西斯晶振ECS-VXO-73-32.768-TR大體積晶振ECS-3953M-080-B-TR有源晶振ECS-80-S-5PX-TR石英晶體ECS-40-S-5PX-TR美國(guó)進(jìn)口晶振ECX-L32CM-200.000高頻晶振ECS-40-20-5PXDN-TR無源晶振ECS-2018-250-BN高精密晶振ECS-3963-270-AU-TR有源晶振ECS-VXO-73-19.440-TR晶體振蕩器ECS-3953M-100-B-TR美國(guó)進(jìn)口晶振ECS-120-20-3X-EN-TR低損耗晶振ECS-160-S-5PX-TR耐高溫晶振ECS-80-18-5PXDN-TR伊西斯晶振ECS-2033-143-AU石英晶體振蕩器ECS-60-20-5PX-TR晶振ECS-3953M-240-B-TR伊西斯晶振ECS-200-20-3X-EN-TR高品質(zhì)晶振ECS-2033-320-AU低抖動(dòng)晶振ECS-184-S-5PX-TR石英晶體ECS-3518-143-B-TR伊西斯SMD晶振ECS-184-20-3X-TR美國(guó)進(jìn)口晶振ECX-L32CM-148.3516高頻晶振ECX-P33BN-16.000低抖動(dòng)晶振ECS-3953M-400-AU-TR石英晶體振蕩器ECS-1618-260-BN-TR伊西斯SMD晶振ECS-3525-200-B-TR美國(guó)進(jìn)口晶振ECS-3225S18-160-FN-TR石英晶體振蕩器ECS-120-20-46X無源晶振ECS-245.7-20-3X-TR低損耗晶振